利用In0.82Ga0.18As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yangyugui888

【摘要】

：

采用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术，在InP (100)衬底上生长In0.82Ga0.18As，研究生长温度对In0.82Ga0.18As材料表面形貌、结晶质量和电学性能的影响。利用InP(100)衬底与In0.82Ga0.18As材料晶格失配所产生的应变，在不同的生长温度下应变释放程度不同，进而在In0.82Ga0.18As表面形成不同类型的缓冲层。分析不同的缓冲层对外延层In0.82Ga0.18As的影响，从而优化出最佳的生长温度。

【作者】

：

张铁民缪国庆傅军符运良林红

【机构】

：

海南师范大学物理与电子工程学院，海南海口571158中国科学院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所，吉林长春130033

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2011年32期

【关键词】

：

In0.82Ga0.18As 金属有机化学气相淀积缓冲层 In0.82Ga0.18As MOCVD buffer

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