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多年来,随着集成电路的快速发展,晶体管的工艺尺寸从微米级缩小到纳米级。工艺尺寸的缩小使得集成电路的集成度提高,性能提升。不......
六磷酸肌醇(IP6)是一种具有独特抗癌作用的天然化合物.IP6能抑制肿瘤细胞的增殖、分化.现通过观察IP6处理前后间隙连接细胞间通讯(......
场效应细胞传感器是一种新型的,能实时监测体外培养的细胞电生理信号的传感器。在各类细胞电生理信号检测的方法中,具有操作简单、......
胰腺癌具有高度侵袭、转移特性。研究表明,人体内多种基因、分子、蛋白的异常表达与胰腺癌侵袭转移相关,针对这些靶点研发的药物、......
胰腺癌是人类恶性程度最高的肿瘤之一,具有很强的侵袭和转移特性。肿瘤的侵袭转移是一个多步骤的复杂过程。但胰腺癌侵袭转移过程的......
<正> 钼是高等植物体中硝酸还原酶和硝化酶的组成之一。一般植物的钼浓度大于0.1ppm(干重计),就不会出现缺钼症状。但对于豆科植物......
目的:对通过体内筛选建立的人肺癌高转移细胞系SPC-A-1sci的转移特性及机理进行初步研究,并从中进一步分离出不同转移潜能的细胞株,......
石墨烯器件作为下一代纳米电子器件的有力竞争者受到广泛关注,但对其器件工作机理的研究尚不透彻。对石墨烯纳米带场效应晶体管(gr......
胰腺癌具有极高的病死率,由于其激进的转移性质。解决基本的机制将是治疗的关键。胰腺癌由于具有较强的转移特性,而且在肿瘤产生早期......
放射治疗是鼻咽癌的基本治疗手段,可以取得较高的局部控制率,但由于其生长迅速以及高转移特性,使该病存在着较高的治疗失败率.因此......
研究了势垒层掺杂的GaN基HEMT结构上的帽子层对该器件电学特性的影响。并对i-AlGaN,i-GaN,i-InGaN3种不同材料的帽子层进行比较。......
利用自主开发的蒙特卡罗器件模拟软件,对n沟肖特基势垒隧穿晶体管(SBTT)的输出特性和转移特性进行了模拟,详细分析了沟道区掺杂浓......
本文对10Gbit/s速率SDH系统抖动测试中存在争论的两个问题做了简要分析,明确了抖动转移特性测试的标准,并对抖动测试中在有告警信......
击穿电压是VDMOS器件的重要构造参数之一,它和漏极最大电流IDMAX一同限制了该器件的运转范围.由于击穿电压的范围随功率器件运用范......
采集我国15个省份理化性质差异很大的耕作土壤,利用温室试验,以小白菜为研究对象,通过外源添加铬(Cr),研究Cr从土壤向植物的运移,探......
采用射频磁控溅射法制备了氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFTS),研究了氩氧分压比对ZnO薄膜生长以及ZnO-TFT电学特性的影响。结果表明:氩氧分......
在研究0.5μm多栅NMOS场效应管γ辐照总剂量效应实验时,发现部分多栅NMOS器件辐照前后的转移特性曲线出现交叉现象,相关的解释鲜见......
铅(Pb)的生物有效性、移动性和转移特征对环境和食品安全至关重要。本研究采集我国15个省份理化性质差异很大的土壤,利用温室试验,以......
本文提出一种通过绘制通用转移特性曲线和通用跨导特性曲线来计算结型场效应管放大器的 方法,由于此法能适应不同型号的场效应管,使......
讨论了MOSFET的辐照损伤机理,通过低能(10keV)X射线辐照试验,分析了不同X射线辐照总剂量、不同剂量率对nMOSFET单管的转移特性以及......
针对铁电薄膜/GaN基FET结构,利用数值方法研究了铁电栅材料自发极化强度PS变化对GaN基表面电子浓度nS和场效应晶体管转移特性Id-Vg......
氮化镓基MFSFET器件以其非挥发性存储,非破坏性读出,结构简单以及适合在高温大功率环境下应用等优越性赢得了研究人员的广泛关注。......
在凹版印刷中,图像层次的变化,取决于墨层厚度的变化,而墨量不象其它印刷方式一样可以在印刷过程中调节,而是取决于网穴的体积和油......
考虑到有机薄膜晶体管(OTFT)带隙中存在指数分布的陷阱态密度,提出了基于表面势的电流解析模型.在模型建立过程中,使用薄层电荷近似......
在衡量半导体器件是否符合设计要求时,技术指标首先指器件直流电学性能,包括输出特性曲线和转移特性曲线,以及相应的电学参数。文......
黑磷作为二维材料家族中一名新的成员,在电子器件领域具有石墨烯和过渡金属硫化物(TMDCs)所不具备的特性,如:可协调的带隙(0.3-2.0......
随着信息产业的发展和电子产品的普及,对存储器的要求越来越高。以铁电场效应晶体管(FeFET)为基本单元的铁电存储器,受到人们的广泛关......
作为第三代半导体材料,GaN具有独特的半导体特性,例如大的直接带隙能,高的饱和漂移速度,大的导带不连续性,良好的热稳定性以及强的......
对Ga N微波器件的转移特性开展了脉冲测试研究。通过改变脉冲通道的数量、静态工作点和脉冲宽度,获得了不同的脉冲测试条件下Ga N......
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,近年来发展迅猛,作为新一代的电力电子器件已经得到广泛应用。随着应用领域的不断拓展,对器件的性能也......
为了研究石墨烯场效应晶体管的不同测试方法,对其转移特性的影响,在栅压为0~5V之间扫描的情况下,研究了石墨烯晶体管的狄拉克点变......
分析了AlGaN/GaNHEMT器件的结构及特性,2DEG的浓度与器件的电学特性的关系。在仿真软件ATLAS上构建器件模型,对器件的转移特性和输......
罗氏线圈电流互感器具有线性系统的特性,阐述了罗氏线圈电流互感器的传递特性及其对保护继电器的影响,基于互感器的物理结构分析了......