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作为信息存储的载体,存储器一直是电子设备中不可或缺的一部分。其中占据了存储市场大部分份额的是以电荷俘获为机理的无机闪存,但......
随着半导体工艺节点的推进与器件特征尺寸的减小,传统浮栅存储器面临着器件漏电增大、电荷泄露严重和可靠性下降等问题。采用分立......
阻变存储器(RRAM)因具有低功耗、高密度、结构简单且易与CMOS工艺兼容等特点成为了下一代最具潜力的非挥发性存储器之一。阻变存储......
随着器件尺寸的缩小,非易失性存储器和其他半导体器件一样,面临着可靠性的问题。由于EEPROM器件经常工作在高电场应力之下,与之密......
该论文着重于SrBiTaO(SBT)层状钙钛矿铁电薄膜的制备及疲劳、保持和抗辐照能力等可靠性能的研究.这些研究对于FRAM用的SBT薄膜材料......
在3D NAND闪存的分布式编程擦除循环实验中发现,存储单元的保持特性随着编程擦除循环周期间隔的增加而改善.对实验数据的分析表明,......
平板显示器综述平板显示器．是相对于传统的CRT显示器来说的．他的厚度远远低于CRT，因此被人称作平板显示器。对于电脑上使用的平板显示......
主要用于智能手机、平板电脑、GPS手表和其他的空间受限应用,具有高接触力和先进的卡保持特性,以防止意外弹出。推拉式型款插座具......
仿人智能控制(HIC)应用"极值叠加原理"和"保持特性"取代传统控制(PID)积分作用,消除了因此带来的相位滞后和积分饱和,用"抑制"作用......
随着信息技术的发展,非易失性存储器应用越来越广泛。使用分散的量子点代替目前连续的多晶硅悬浮栅作为存储层结构得到了人们极大......
为了探究阻碍PZT铁电薄膜在市场上得到广泛应用的疲劳失效机理,本文对PZT（锆钛酸铅）铁电薄膜在疲劳过程中的电滞回线、漏电流、保持......
真空混合漏孔,如漏孔通道内含有空腔、毛细管道等,示漏气体除存在超长反应时间外,还存在超长的延迟时间和保持时间.只有经该延迟时......
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本文讨论了正电子发射成像的重建问题。正电子成像过程是对湮灭产生的光子对进行计数，而重建的目的是要恢复放射性核素的位置分布信......
近年来,随着智能手机,数码相机,平板电脑,移动存储设备等便携式电子产品的普及和不断发展,非易失性存储器市场不断扩大。基于电荷......
本文包括钛酸锶钡、钛酸锶铌及铁电存储器的研究。分别评述了钛酸锶钡介电材料、钛酸锶铌陶瓷材料及铁电存储器的研究现状;并成功......
随着现代集成电路制造工艺的发展,基于浮栅结构的FLASH存储器正逐渐走向其物理尺寸极限,新型储存器的开发成为现在研究机构及各大......
随着信息产业的发展和电子产品的普及，对存储器的要求越来越高。以铁电场效应晶体管（FeFET）为基本单元的铁电存储器，受到人们的广泛关......
随着电子科学技术的发展,传统的Flash存储器面临物理尺寸缩小极限,为了满足未来高密度数据储存的需要,目前众多下一代新型非易失性......
首先对闪速存储器的发展现状进行了评述；然后从结构和失效机理出发，对影响闪速存储器可靠性的各因素进行分析；并提出了改进方法。......
