负偏压温度不稳定性相关论文
NBTI效应严重影响了器件的高温可靠性,本文对基于1.2μm工艺的PDSOI器件进行了NBTI效应研究.通过加速应力试验得到了NBTI效应对PDS......
研究了28 nm多晶硅栅工艺中Ge注入对PMOS器件的负偏压温度不稳定性(NBTI)的影响.在N阱中注入Ge,制作了具有SiGe沟道的PMOS量子阱器......
对超深亚微米PMOS器件的负栅压温度不稳定性(NBTI)退化机理进行了研究.主要集中在对器件施加NBT和随后的PBT应力后器件阈值电压的......
为检测负偏压温度不稳定性(NBTI)效应导致的微处理器中组合逻辑路径延迟的增大,设计了一种可感知微处理器核NBTI效应的混合结构检......
提出一种用二维器件数值模拟和负偏压温度不稳定性（negative bias temperature instability，NBTI）模型联合计算的方法，分析NBTI效应产......
研究了搭桥晶粒（BG）多晶硅薄膜晶体管（TFT）在直流电应力下的退化行为和退化机制。与普通多晶硅TFT相比,BG多晶硅TFT展现出更好的直流应......
从二维模拟pMOS器件得到沟道空穴浓度和栅氧化层电场，用于计算负栅压偏置温度不稳定性NBTI（Negative bias temperature instability）......
当晶体管的特征尺寸减小到45nm时,电路的可靠性已经成为影响系统设计一个关键性因素。负偏压温度不稳定性(NBTI)和泄露功耗引起的......
研究了在热载流子注入HCI(hot-carrier rejection)和负偏温NBT(negative bias temperature)两种偏置条件下pMOS器件的可靠性．测量了......
本文采用优化的多循环离子体增强化学气相薄膜淀积工艺,在不影响器件的热载流子注入（hot-carrier Injection,HCI）和负偏压温度不稳定......
随着晶体管尺寸的不断缩小,负偏压温度不稳定性(Negative Bias Tenperature Instability,NBTI)已经成为制约电路可靠性最重要的因......
随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性(NBTI)是其中关键问题之一.NBTI效应......
回顾了纳米pMOSFET上考虑涨落的NBTI测试方法的新进展。首先,简单地介绍了5种传统的NBTI测试方法:准静态直流完整Id-Vg测试法、在......
CMOS器件尺寸越来越小，栅介质厚度持续减小，负偏压温度不稳定性（NBTI）成为制约器件可靠性及寿命的最主要因素之一。然而，NBTI机理一直处......
作为人类有史以来发展最为快速的工业之一,半导体工业的进步一直依赖于不断缩小的电路特征尺寸,以及随之获得的器件性能和芯片集成......
研究了深亚微米pMOS器件的热载流子注入（hot—carrier injection，HCI）和负偏压温度不稳定效应（negative bias temperature instability......
本文首先介绍了发生于PMOSFET器件上的NBTI(负偏压温度不稳定性)的基本理论,介绍了NBTI的两种衰退机理(反应-扩散模型和电荷俘获-......
在大规模CMOS集成电路设计中,随着晶体管特征尺寸的不断缩小,负偏压温度不稳定性(NBTI)对电路的可靠性产生显著影响。准确的逻辑单......
P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)的负偏压温度不稳定性(NBTI)是制约纳米MOS器件在长寿命电子系统中应用的关键问题之一......
半导体技术的飞速发展已经将集成电路技术带到了超深亚微米时代，这使得集成电路性能更好、集成度更高。集成电路从其诞生以来就朝着......
集成电路老化的影响,随着集成工艺尺寸越来越小而越来越明显。其主要影响表现在增加了电路元件的输入-输出信号的延迟,从而降低了......
随着器件尺寸及栅氧厚度的不断缩小,NBTI效应已经成为影响MOS器件可靠性的重要因素。有报道表明,在0.18?m工艺技术后,NBTI效应引起......
超深亚微米PMOSFET中的NBTI(Negative Bias Temperature Instability)效应已经成为对CMOS器件和电路可靠性的严重威胁。随着器件尺......
随着半导体制造技术推进到更加先进的深亚微米技术,我们面临着一些新的障碍和挑战。NBTI(负偏压温度不稳定性)是我们要面对的可靠......
研究了深亚微米PMOS器件在负偏压温度 (negativebiastemperature,NBT)应力前后的电流电压特性随应力时间的退化 ,重点分析了NBT应......
