【摘 要】
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本文采用优化的多循环离子体增强化学气相薄膜淀积工艺,在不影响器件的热载流子注入（hot-carrier Injection,HCI）和负偏压温度不稳定性（Negative Bias Temperature Instability,
【机 构】
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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本文采用优化的多循环离子体增强化学气相薄膜淀积工艺,在不影响器件的热载流子注入（hot-carrier Injection,HCI）和负偏压温度不稳定性（Negative Bias Temperature Instability,NBTI）的前提下,改善半导体器件的开关特性。我们以32nm多晶硅（polycrystalline-Si/SiON）栅极制造工艺生产的半导体器件为测试对象,其核心器件（Core Device）工作电压是1.0V,外围器件（I/O device）工作电压是2.5V。实验结果显示,对
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