自组织生长相关论文
低维有机铅卤钙钛矿纳米晶具有合适的禁带宽度、较小的激子结合能、较大的光吸收系数、宽吸收光谱、高载流子迁移率和较大的载流子......
在GaAs衬底上自组织生长InAs量子点，因低廉的成本、巨大的发展空间及应用前景，成为目前半导体材料研究的热点。为制备长波长量子点激......
本文内容包括： 1.利用原子力显微镜研究640C初始覆盖Si层时(0-4.2A)sJOe量子点的形貌转变过程，实验发现穹形量子点逐渐转化为金字......
由于嵌入SiO_2基体中的Ge纳米晶(nc-Ge)能发射可见光而有望用于制备新型光数据存储器等，目前它正成为人们感兴趣的研究热点。已发现......
采用新电极结构的PECVD技术 ,在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下 ,在SiO2 玻璃表面形成双等离子流 ,增加......
对利用超低压化学气相淀积 (VLP CVD)技术在Si上自组织生长Ge量子点的特征进行了研究 ,发现生长温度对Ge量子点尺寸分布和密度的影......
利用真空热蒸发方法在液体基底表面成功制备出具有自由支撑边界条件的金属铝薄膜系统,研究了薄膜中自发形成的自边界向内部区域逐......
研究 Ga As基 Inx Ga1 -x As/ Ga As量子点 (QD)的 MBE生长条件 ,发现在一定的 / 比下 ,衬底温度和生长速率是影响 Inx Ga1 -x A......
用扫描隧道显微镜研究了Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长.室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge,然后在适当的温......
采用低压化学气相沉积方法,依靠纯SiH4气体的热分解反应,在SiO2表面上自组织生长了Si纳米量子点.实验研究了SiO2膜的薄层化对Si纳......
采用超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）技术在Si衬底上外延生长了PIN结构多层Ge量子点探测器材料。PIN探测器结构由N型Si衬底,多层Ge量......
纳米半导体量子点以其所具有的新颖光电性质与输运特性，正在成为量子功能器件研究中的一个热点领域。作为纳米量子点的制备方法，自组......
采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法,通过纯SiH4气体的表面热分解反应,在SiO2表面上自组织生长了半球状Si纳米量子点,在室温条件下实......
利用变温和变激发功率分别研究了不同厚度CdSe阱层的自组织CdSe量子点的发光。稳态变温光谱表明：低温下CdSe量子阱有很强的发光，高温......
采用化学气相沉积法,以纳米Mg2Si和SiO2的混合粉体作为硅源,在较低温度自组织生长了大量绳状SiOx新奇纳米结构。利用扫描电子显微......
纳米半导体量子点以其所具有的新颖光电性质与输运特性正在受到人们普遍重视.作为制备高质量纳米量子点的工艺技术,自组织生长方法......
综述了半导体量子点和量子线材料的最新发展动态及其制备技术。...
利用分子束外延(MBE)技术在高面指数(553)B GaA s衬底上自组织生长了应变Ga0.85In0.15As/GaAs量子线阵列结构.通过原子力显微镜(AF......
为深入理解生长因素及应变对量子点形成的影响,科研工作者采用动力学蒙特卡罗方法对量子点的生长进行了大量研究.简要概括了采用动......
采用动力学蒙特卡罗(Kinetic Monte Carlo)方法模拟了Si／Ge系统自组织生长Ge量子点过程中二维Ge岛成核的早期阶段，引入吸附原子导致......
利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容-电压特性和电容-时间特性研究了......
综述了半导体量子点材料的最新发展动态和发展趋势。...
文章介绍了纳米电子学在自组织生长、器件构造和电学/光学器件应用等方面的最新进展,其中包括:利用流体或极性分子实现了纳米线/管......
所谓自组织生长纳米量子点，是具有较大晶格失配度的两种材料，依靠自身的应变能量，并以Ｓｔｒａｎｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖ（Ｓ－Ｋ）生长模式，在衬底表面上形成的具有一定形状、尺寸......
报道了用两步自组装法制备硅基纳米碳化硅量子点列阵. 先将两种硅烷偶联剂均匀有序地偶联到洁净的单晶硅片上,其中一种偶联剂能打......
介绍了制备半导体量子点的3种方法，包括光刻、自组织生长和肢体化学方法。简要比较了3种方法，详细讨论了用胶体化学法合成半导体量子......
采用超高真空化学气相淀积系统制备了小尺寸、高密度、纵向自对准的Ge量子点.通过TEM和AFM对埋层和上层量子点的形貌和尺寸分布进......
在超高真空化学汽相淀积设备(UHV/CVD)上生长了小尺寸、大密度、垂直自对准的Ge量子点.采用原子力显微镜分析量子点的尺寸,可优化......
1.6μm波长的光由于与硅光纤低色散和低损耗的波长一致,以及极好的人眼安全特性,因此在光纤通信、光传感定位和中红外参量振荡的抽......
纳米半导体量子点以其所具有的新颖光电性质与输运特性,正在各类量子功能器件中获得成功应用.作为纳米量子点的一种主要制备工艺,......
利用胶体颗粒悬浊液的自组织生长技术制备了两种二氧化硅胶体晶体.透射光谱表明:所制备的胶体晶体的光子带隙位于近红外波段,带隙......
纳米ZnO的许多优异性能使其成为人们研究的热点并得到广泛的应用.随着ZnO颗粒尺度的不断减小,其量子限域效应越来越明显,观察到电......
BaxSr1-xTiO3（0≤x≤1）类钙钛矿型铁电薄膜因其独特的物理特性和宽广的应用前景受到了物理和材料学家们的广泛关注，成为近年来铁电学......
近年来，高度有序纳米材料诸如：TiO2，ZnO，SnO，Al2O3，MnO2，V2O5等，依托其独特的物理化学性能，以及其在很多领域诸如染料敏化太阳能电池、光催......
近年来,在半导体纳米技术领域中,与量子点(QD)等半导体纳米单元结构功能相关的量子点生长制备技术及其光电器件的应用成为了研究热......
随着科学技术突飞猛进式的发展进步以及人们对未来的半导体光电子器件在对其运算处理速率、低功耗和微型化等方面越来越高的诉求,......
宽禁带半导体材料ZnO以其优良的光学和电学性能引起人们广泛的研究兴趣。随着ZnO颗粒尺度的不断减小，其量子限制效应越来越明显；ZnO......
