随着半导体激光器应用领域的不断拓展,对器件输出功率和可靠性的要求也越来越高。而激光器腔面的工作稳定性是制约器件高功率输出......

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报导了带有腔面非注入区的808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵的制作过程和测试结果。在器件前后腔面处引入25μm非注入区，填充密度......

垂直外延腔面发射激光器(VECSELs)将为低消费领域提供先进的光数据存储和激光投影显示技术.自2004年起,VECSELs将在几个重要的应用......

介绍了对半导体激光器的腔面进行钝化处理的方法,分别采用几种不同的试剂对腔面进行处理,得出不同的结果.实验表明,用P2S5/NH4OH和......

<正> 处在长时间工作中的半导体激光器,由于晶体的局部过热和一些不完整性,容易造成腔面损伤,降低器件寿命,且从激光器后腔面射出......

11月16日，由中国科学院半导体研究所承担的国家“863”重大项目“氮化镓基激光器”获得重大突破。在激光器结构设计、材料生长、腔......

<正> 半导体激光器和光发射二极管是光纤通讯、光信息处理、光计算、光存贮等的重要元件,是集成光电子学、集成光学中不可缺少的重......

采用反应离子刻蚀GaAs/GaAlAs双异质结构激光器的一个腔面,已经获得室温下连续激射的效果,其阈电流比解理腔面高18％左右,量子效率低......

报道了氦离子注入技术在提高980nm半导体激光器灾变性光学损伤（catastrophic optical damage，COD）阈值上的应用.p-GaAs材料经氦离子注......

提出一种新的LD列阵封装方法。把热沉形状改为台阶式，使稳态工作条件下的芯片前腔面散热速度提高，前后腔面温差大幅度降低，因此可以提......

对808nm大功率半导体激光器腔面硫钝化处理的工艺进行了研究，发现腔面硫钝化可以提高激光器的输出特性以及其可靠性．输出功率提高了1......

通过对不同腔长的808am半导体激光器单管进行P-I测试，提取出了材料内部参数，如内量子效率、内损耗、透明电流密度、模式增益等。根据......

随着高功率半导体激光器在光纤通信、工业加工、宇宙航天、医疗卫生和国防军事等领域的广泛应用及研究,社会对高功率半导体激光器......

通过对GaAs/GaAlAs激光器谐振腔前、后腔面蒸镀ZrO2和ZrO2、MgF2的工艺过程，从理论和实验上分析涂层特性，透射率、反射率分别由无膜......

研究了高功率808nm量子阱脊型波导结构含铝半导体激光器在空气中解理时不同镀膜方法对输出激光功率的影响,讨论了半导体激光器的灾......

研究了808 nm量子阱脊型波导结构掺铝半导体激光器在空气中解理不同镀膜方法对激光损伤阈值的影响。将半导体激光器管芯分别采用前......

半导体激光器具有输出功率大、体积小、阂值电流低、调制简单、电光转换效率高的特点。伴随着国防科技的进步和社会的发展,使半导......

GaN基激光器具有广泛的应用。如何获得平整腔面是蓝宝石衬底上制作GaN激光器的困难之一。通过对解理面的分析和不同衬底厚度时腔面......

对GaAs基半导体激光器真空解理钝化工艺进行了研究,发现在高真空条件下解理和钝化GaAs基半导体激光器能有效减少激光器腔面缺陷,从......

研究了高功率808nm量子阱脊型波导结构含铝半导体激光器在空气中解理时不同镀膜方法对输出激光功率的影响,讨论了半导体激光器的灾......

ZnO作为一种宽禁带的化合物半导体材料而言,因为具有稳定的化学性能和电学、光学性质,其禁带宽度在室温下为3.37eV,没有毒害的副作......

超辐射发光二极管(SLD)的性能不同于半导体激光器和半导体发光二极管,它是最近十几年发展起来的一种新型光电器件,是实现外腔式半......

研究了不同腔面钝化方法对980 nm渐变折射率波导结构InGaAs/AlGaAs半导体激光器输出激光功率的影响。将980 nm半导体激光器管芯前......