【摘 要】
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ZnO作为一种宽禁带的化合物半导体材料而言,因为具有稳定的化学性能和电学、光学性质,其禁带宽度在室温下为3.37eV,没有毒害的副作用,而且成本便宜等特征,所以备受人们关注,
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ZnO作为一种宽禁带的化合物半导体材料而言,因为具有稳定的化学性能和电学、光学性质,其禁带宽度在室温下为3.37eV,没有毒害的副作用,而且成本便宜等特征,所以备受人们关注,又十分广泛的用途。本论文设计采用ZnO为大功率半导体激光器的前腔面增透膜。本论文采用磁控溅射法制备ZnO薄膜,靶材是纯Zn靶,溅射工作气体是高纯度的O2和Ar。在以Si和石英为衬底制备ZnO薄膜,并研究不同溅射工艺下薄膜的特性。用优化后参数在808nm激光器的前腔面镀膜,并测试其功率和阈值电流等参数,结果表明镀膜后反射率降低,输出功率、阈值电流、斜率效率和电光转换效率有明显的提高,符合实验的设计初衷。
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