超辐射发光二极管(SLD)的性能不同于半导体激光器和半导体发光二极管,它是最近十几年发展起来的一种新型光电器件,是实现外腔式半导体激光器、光纤光栅激光器、半导体光放大器的关键元器件,在中、短程光纤通信,光纤陀螺,传感计测和医疗卫生等领域有着广阔的应用。实现半导体超辐射发光管的关键技术是解决超辐射发光二极管芯端面超低反射率的增透膜技术问题。本文研制的1310nm超辐射发光管是以GaAs晶体自然解理面为衬底材料,采取在芯片端面镀增透膜的方法,来获得超辐射光的,采用吸收小,散射少的薄膜材料来设计膜系,使得残余反射率达到了0.1087%。与此同时,镀制的膜层能防止水蒸气的侵蚀和氧化,保护器件端面。本实验使用的美国丹顿公司的Integrity-36全自动真空镀膜机,它是利用电子束蒸发和离子辅助沉积进行镀膜的,并根据UV-3100PC分光光度计测试光谱特性曲线,在室温连续工作的状态下,最高输出功率达到了3.12mw,谱线宽度为30nm。