结终端结构相关论文
万伏级超高压功率器件主要应用在高压直流输电、全电化舰船、高能激光武器等领域。尽管硅（Si）器件通过串联形式可以将模块电压做到10......
利用一次离子注入同时形成有源区和结终端结构,实现3300V 4H-SiC肖特基二极管器件.器件的正向电压为1.7V时,电流达到10.3A,电流密......
表面钝化技术是半导体器件制造过程中的重要工艺环节,对器件的电学特性和可靠性有重要影响。文中侧重于功率器件领域,回顾了各种高......
IGBT广泛应用于电子、新能源、铁路交通、智能电网等领域.由于难以克服IGBT关键的减薄工艺与背面集电极工艺难题,1 200 V以上的耐......
为了提高功率器件结终端击穿电压,节约芯片面积,设计了一款700 V VDMOSFET结终端结构。在不增加额外工艺步骤和掩膜的前提下,该结......
采用宽禁带半导体材料4H-SiC制作的肖特基势垒二极管SBD具有PN结二极管无法比拟的优越特性。国外对4H-SiC材料及其器件的研制和分......
碳化硅(SiC)材料以其具有宽禁带、高热导率、高临界击穿电场、高饱和电子迁移速度等优良特性,在大功率器件领域扮演着越来越重要的......
学位
