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日本科学技术厅无机材料研究所利用生长大的单晶体立方氮化硼(c-BN)的最新技术成果,成功地制造了世界上第一个能在650℃温度下稳......
据《电子材料》(日)2009年第2期报道,日本Panasonic半导体公司(原松下电器子公司)开发了GaN技术的高耐压、低欧姆阻抗的结型功率二......
采用液相外延技术,在CdTe衬底上连续生长P-和n-型外延层,制成了高性能的HgCdTe光电二极管。对Hg_(0.68)Cd_(0.32)Te(λ_(co)=4.0微......
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