等离子体损伤相关论文
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
期刊
随着半导体芯片特征尺寸的持续减小,低介电常数的多孔材料在微电子领域得到广泛应用.然而,多孔材料在等离子体刻蚀工艺中面对严峻......
开发了一种用于评估等离子体损伤的测试方法。利用电流流经氧化层时会在氧化层产生缺陷，从而导致隧道电流降低的原理，通过测量氧化层......
随着集成电路向深亚微米、纳米技术发展，等离子体充电对制造工艺造成的影响，尤其对超薄隧道氧化层的损伤越来越显著．本文分析了等离子......
在深亚微米MOS集成电路制造中,等离子体工艺已经成为主流工艺.而等离子体工艺引起的栅氧化层损伤也已经成为限制MOS器件成品率和长......
介绍了微细加工中等离子体工艺对器件的损伤.主要有两种损伤模式:充电效应引起的损伤和辐射损伤.讨论了两种损伤模式的等离子体过......
介绍了硅微波双极晶体管中一种集电极-发射极漏电的失效模式,着重从芯片制造工艺方面研究了失效机理.建立了RIE等离子体刻蚀等效电......
文章讨论了等离子体损伤造成的EEPROM电路失效，从隧道氧化层质量、器件结构、PECVD、等离子体腐蚀几方面分析了工艺中造成等离子体......
研究了等离子体工艺对90nm铜大马士革工艺器件的损伤.对nMOSFET和pMOSFET分别进行了HCI和NBTI应力实验,实验结果证明天线比仍是反......
介绍了三类常见的低k介质材料,并对空气隙(k=1)的发展进行了探讨;讨论了引起等离子体损伤的机理和传统的O2等离子体去胶工艺面临的......
运用Cl2/N2等离子体系统,系统研究了ICP刻蚀中ICP功率、RF功率、反应室压力和Cl2百分比对p型GaN材料的物理表面形貌和欧姆接触特性......
期刊
为了提高电路的速度和缩小电路耗散功率,半导体器件的尺寸不断的缩小,减小尺寸通常要依靠刻蚀技术来实现。等离子刻蚀是目前VLSI中......
随着芯片特征尺寸的降低,金属互连中的电阻和寄生电容成为限制芯片性能的一个主要因素。这使得半导体工业不得不放弃使用二氧化硅......
在研发一套基于0．18μm工艺的全新半导体芯片时，由于芯片工艺的要求我们将标准0．18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN＋SIO......
