为了提高电路的速度和缩小电路耗散功率,半导体器件的尺寸不断的缩小,减小尺寸通常要依靠刻蚀技术来实现。等离子刻蚀是目前VLSI中最常用的方法。由于等离子体工艺的优点,在集成电路制造中而被广泛的采用,例如等离子体刻蚀、PECVD、去胶,甚至清洗等工艺。但是在等离子体工艺中,高能离子和电子还有紫外线都能引起器件的损伤。在本文中,首先讨论了三种主要的等离子体损伤类型：等离子体充电损伤、等离子体边缘损伤和电子遮蔽效应。系统描述了充电的过程,边缘损伤的三个主要过程和电子屏蔽效应产生的原因。接着对超深亚微米PMOSFET的等离子体损伤与其NBTI效应进行了初步的研究。研究表明由于等离子体损伤后,在器件的Si/SiO2界面和栅氧中会形成界面态和氧化层陷阱,在接下来的退火工艺使得缺陷变为潜在的,形成更多Si-H键,使得界面处的H浓度增大。从而导致等离子体损伤器件的NBTI效应加剧。其次,通过分别对NMOSFET和PMOSFET施加HC和NBT应力来研究90nm铜互连工艺中的得离子体损伤。发现天线比仍是衡量等离子体损伤的重要标准,相对于Al布线工艺等离子体损伤主要发生在金属刻蚀工艺中,Cu互连工艺中通孔刻蚀是产生等离子损伤的主要原因。最后介绍了抑制方法,通过添加保护二极管,改进或优化设计方法(如采用“向上跳线”的方法)和改进工艺设备可以很好的抑制等离子体工艺对MOSFET的损伤。