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文章讨论了等离子体损伤造成的EEPROM电路失效，从隧道氧化层质量、器件结构、PECVD、等离子体腐蚀几方面分析了工艺中造成等离子体损伤的原因。分析结论得出金属腐蚀工艺中存在的天线效应和电子阴影效应对隧道氧化层质量有决定性影响。
EEPROM电路中的等离子体损伤分析
【摘 要】
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文章讨论了等离子体损伤造成的EEPROM电路失效，从隧道氧化层质量、器件结构、PECVD、等离子体腐蚀几方面分析了工艺中造成等离子体损伤的原因。分析结论得出金属腐蚀工艺中存
【机 构】
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无锡中微晶园电子有限公司
【出 处】
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电子与封装
【发表日期】
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2007年9期
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