短沟道相关论文
随着半导体产业的不断发展以及功率半导体需求不断增加,宽禁带半导体碳化硅（SiC）功率器件能在高温、高压、高频以及复杂的辐照环境下......
基于喷墨打印的柔性有机薄膜晶体管由于受液滴大小及铺展的限制,器件的沟道长度一般为几十微米。为了实现超短沟道长度的有机薄膜......
Short channel carbon nanotube thin film transistors with high on/off ratio fabricated by two-step fr
薄电影晶体管(CNT-TFTs ) 制造被表明的为碳 nanotube 的一个二拍子的圆舞 fringing 地 dielectrophoretic 集会方法。浓密地排列......
利用原子力显微镜(AFM)探针直写技术制备了短沟道并五苯有机场效应晶体管(OFET),并研究了器件性能。在SiO2/n+-Si基底上,利用AFM探......
考虑栅电压、漏电压和沟长调制效应影响下,在长沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的I-V输出特性基础上,引入有效迁移率和有效沟道长度,......
随着金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的尺寸进入到纳米量级,器件的噪声机理逐渐开始转变.传统的热噪声与漏源电流模型......
目前，电子工业是世界上最大的工业，电子产品的全球销量年年攀升。超大规模集成电路技术是现代信息产业的基础，电路规模不断地增加，性价......
考虑栅电压、漏电压和沟长调制效应影响下,在长沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的Ⅰ-Ⅴ输出特性基础上,引入有效迁移率和有效沟道长......
本文基于修正的二维泊松方程导出了适用于深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的值电压解析模型，并进而通过反型区电荷统一表达式并考虑到载流子速度饱和、ＤＩＢＬ、相......
通过求解二维泊松方程推导了一个简洁的短沟道MOS的阈值电压模型，得到的DIBL因子可用于分析参数对短沟道效应的影响。模拟的结果能......
本文介绍了一种新型的交流法短沟道MOS器件参数计算机自动提取技术.它能快速而又精确地提取短沟道MOS器件的源漏串联电阻R_T、表面......
利用二维泊松方程的解析解,得到了短沟道MOS FET亚阈值电流的解析模型.在弱反型区,解析模型的结果与数值模拟的结果符合较好.......
提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET闻值电压特性分析的电荷分享物理模型，详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及......
在 ELO/SOI膜上制备出了短沟道 MOSFET.电子及空穴场效应迁移率分别为 360 cm~2/V.s及 200 cm~2/V.S.PMOS及 NMOS晶体管的亚阈值斜......
据报道，针对如何利用二维半导体材料构筑短沟道晶体管的问题，中国科学院物理研究所／北京凝聚态物理国家研究中心纳米物理与器件实验室......
光电探测器作为信息生活中传递信息的主要载体,是信息生活中不可分割的重要器件。在光通信领域、工业控制领域、军事领域都有着广......
使用喷墨打印技术制得了高质量的导电银电极,并制备了高性能的有机晶体管器件与简单电路。经优化的喷墨银电极表面形貌光滑、一致......
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通过求解泊松方程,从沟道长度调制效应、阈值电压变化及源极同沟道间的势垒变化三个方面详细分析了短沟道MOSFET的器件特性.给出了......
随着MOS器件工艺尺寸的不断减小，其不断增高的单位增益截止频率足以满足射频／模拟电路的工作要求。然而，随着沟道长度的变短，沟道噪声......
采用Magnachip 0.13μm CMOS工艺,设计了一款能可靠地工作在455MHz频率的低功耗电荷泵锁相环。在设计过程中,对短沟道效应带来的影......
利用计算机模拟软件Tsuprem4、Medici以及流片实验开发了短沟道铝栅CMOS器件及其工艺流程.对铝栅1.5μm短沟道CMOS工艺进行器件结......
随着金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的尺寸进入到纳米量级,器件的噪声机理逐渐开始转变.传统的热噪声与漏源电流模型......
随着器件尺寸的缩小,寄生电阻对器件性能的影响不可忽视,为准确预测器件的寄生电阻并了解器件参数对寄生电阻的影响,需要有准确的......
短沟道MOSFET因其高集成度、高性能、低功耗和低成本的优点,被广泛应用于射频与毫米波集成电路中。作为设计CMOS低噪声电路的基础,......
