漏电流功耗相关论文
在深亚微米CMOS电路中,漏电流功耗已经成为不可忽视的部分.降低电路漏电流功耗的一种有效方法是采用多阈值CMOS技术,它是通过接入......
超大规模集成电路设计工艺已进入深亚微米阶段,漏电流功耗已经成为不可忽视的部分.多阈值CMOS技术是一种降低电路漏电流功耗的有效......
随着集成电路工艺进入纳米时代,VLSI漏电功耗迅速增加,本文在功耗调度方面,基于漏电流功耗随工作温度升高而增加的电热耦合效应,首......
要解决纳米设计中遇到的问题,如信号完整性、动态和漏电流功耗,以及可制造性等,需要设计链上各个环节的紧密合作。基于此考虑,Appl......
随着集成电路制造工艺进入超深亚微米阶段，漏电流功耗在微处理器总功耗中所占的比例越来越大，在开发新的低漏流工艺和电路技术之外，如......
在数字芯片的低功耗架构中，特别是在多媒体手持设备芯片的低功耗架构中，各个功能模块之间的供电切换技术是至关重要的低功耗设计技术......
分析了超深亚微米工艺参数波动对电路的影响；采用“放大”的思路设计了简单的用于测量超深亚微米工艺门延迟、动态功耗、静态功耗及......
大部分嵌入式设备由于设备体积和使用环境等原因,使得为设备充电变得异常困难,甚至在一些应用场景中,嵌入式设备的电能使用时间也......
随着集成电路工艺技术的不断进步,集成电路产业己经进入深亚微米和纳米工艺时代。功耗,特别是漏电流功耗,已经成为集成电路设计中......
提出了一种自顶向下的基于晶体管级的全定制IP漏电流功耗计算方法，该方法计算快速高效，实用性强，取代了以往完全依靠软件仿真进行功耗......
