随着集成电路工艺进入纳米时代,VLSI漏电功耗迅速增加,本文在功耗调度方面,基于漏电流功耗随工作温度升高而增加的电热耦合效应,首先针对多核片上系统(MPSoC)进行降温降耗的算法研究。在研究中,对用于单线程任务分配的TALK算法进行改进,提出一种新的用于MPSoC任务分配的TALO(Temperature—Aware Leakage Optimization)算法。当有多个核可以使用时,优先使用较低温度的核,达到降低该核的漏电流功耗的目的。　　 实验表明:同TALK算法相比,TALO算法可以削减更多的漏电流功耗。与目前通用的DVS低功耗算法相比,TALO算法能有效降低MPSoC漏电流功耗,最多可使其减少70％,同时此算法还可以有效降低MPSoC每个核的最高工作温度,最多可以降低34℃。另一方面,漏电功耗迅速增加,增加了实时功耗管理系统的面积开销,给实时功耗管理设计提出了严峻的挑战。　　 针对目前反向衬底偏置(RBB)技术中控制管的面积较大的问题,本文对广泛应用的RBB优化漏电流技术提出一种新方法。改变传统衬底偏置技术在所有的MOS管衬底上应用反向偏置电压(VRBB),VRBB控制管的面积开销较大的做法,基于双阈值CMOS电路设计,在输入最小漏电流向量的条件下,仅将反向偏置电压VRBB加到处于决定态的低阈值电压MOS管上,通过大幅度减小应用VRBB的晶体管数量来降低VRBB控制管的面积开销。在基于22nm工艺ISCAS85基准电路上与单纯RBB方法进行比较的实验结果表明:该方法以损耗27.94％的漏电功耗优化效果为代价,降低了84.91％的面积开销。