沟道电势相关论文
提出了一种对BCCD(埋沟电荷耦合器件)沟道电势的直流测试方法,并对此进行了理论分析和实验研究,该方法能快速、准确地进行BCCD沟道......
该论文完全基于平面MOS工艺,提出民硅台垂直双栅器件的结构,摸索出了可行的工艺方案,完成了短沟双栅自对准的硅台垂直双栅MOSFET器......
基于器件物理分析的方法，结合沟道电势二维解析模型，分析比较了漏极引致势垒降低效应（DIBL effect）对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒，阈值......
研究了同步对称双栅氧化铟镓锌薄膜晶体管（InGaZnO thin film transistors，IGZOTFTs）的沟道电势，利用表面电势边界方程联合LambertW函......
随着半导体技术的发展,常规二维金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的特征尺寸已接近物理极限,并出现了许多非理想效应。而新型多栅......
在摩尔定律的指导下,集成电路半导体器件的尺寸越来越小,但是不能无限缩小。在缩小到一定程度将达到它的物理极限,严重的短沟道效......
随着集成电路工艺的发展,传统平面CMOS器件随着尺寸的缩小,短沟道效应、源漏电荷共享和亚阈值特性衰退等等对器件的电学特性影响越......
