标准单元库相关论文
本文分析了集成电路功耗的组成,并据此提出了一种基于业界标准单元时序功耗库模型的标准单元功耗特征参数提取的简便方法.该方法可......
本文以0.5μm PD SOI标准单元库设计为例,从减小标准单元面积、提高可靠性和加快设计速度三个方面,介绍了标准单元库设计的关键技......
亚阈值数字电路技术是特殊的超低功耗技术,适用于对低功耗要求苛刻,但速度要求不高的应用领域。该文提出了亚阈值数字标准单元设计......
通过知识产权(IP,Intelligence Property)来进行设计复用在系统芯片设计中日益重要.利用门级标准单元库,在Cadence软件上通过手绘......
微电子技术在经过大规模(LSI)、超大规模(VLSI)、特大规模(ULSI)集成时代后,已于1995年后进入极大规模(GSI)集成时代。作为高科技......
学位
抗辐射单元库是快速完成抗辐射数字电路设计的基础。基于0.18μm CMOS加固工艺总剂量及单粒子效应加固策略,从单元库规格制定、逻......
随着工艺尺寸的缩小,集成电路规模越来越大,处理器中寄存器数目日益庞大当处理器频率越来越高,标准单元库中提供的寄存器渐渐满足......
本文介绍了应用于高性能DSP中饱和判断模块的结构，对其进行了优化，并针对之前全定制实现方法中存在的问题，提出了基于标准单元库和自......
专用集合通信加速芯片是一个16+1端口的交换芯片，它的物理实现是采用180nm Hejian标准单元库工艺，最终面积为12.5mm×12.5mm，芯片规模......
本文针对0.13μm工艺下标准单元版图的可靠性设计进行了研究,分析了一些增强可制造性、提高产品良率的版图设计方法.文章利用该方......
I/O电路是片内外的通信桥梁,随着EDA工具的不断发展,半定制设计越来越成为集成电路设计的发展趋势.本文深入研究了0.13μm下的I/O......
由于FPGA与ASIC在结构、性能上各不相同,ASIC风格的RTL代码是基于标准单元库,FPGA用的是宏单元模块,采用FPGA验证ASIC设计,ASIC代......
本文从仿真和流片两个方面对标准单元库的验证方法进行了研究.在仿真方面,提出了采用静态时序分析工具和SPICE仿真工具对单元的估......
随着集成电路制造水平的不断提高和便携式电子系统的高速发展,大规模集成电路设计的重点已经从高速度转为低功耗.该论文重点探讨了......
该文研究了在COMPASS设计环境下具有层级化设计特点的ASIC标准单元设计法,着重讨论了ASIC标准单元库的建库方法.利用COMPASS设计工......
论文首先介绍了课题的背景和来源,并阐述了课题的目的、意义及相关的技术.其次,依据TSMC的0.35um的工艺库完成了标准单元库建立的......
随着集成电路工艺技术的迅速发展，制造工艺向深亚微米和超深亚微米迈进。ASIC电路设计的规模越来越大且越来越复杂。使用已验证的标......
随着集成电路纳米时代的到来，集成电路设计技术和制造技术的联系越来越紧密，不考虑工艺偏差因素的成功电路设计已经变的不可能，于是出......
随着集成电路特征尺寸缩小，体硅器件遇到了一系列问题，限制了器件尺寸进一步缩小。SOI技术能有效地克服体硅材料的不足，充分发挥硅集......
随着超大规模集成电路设计及制造技术的飞速发展，设计工具及流程的自动化程度越来越高，而标准单元库建库技术正是支持这一流程的基础......
航天事业的发展离不开可靠的高性能的抗辐射集成电路的支撑。SOI因为埋氧层的存在，在抗辐射领域相较于体硅有着天然的优势，尤其是抗......
移动互联网的日益发展，对移动智能终端的性能需求越来越高，直接带动了其核心的系统芯片（System on Chip,SoC）性能的快速提升，促进了SoC......
超高频无源识别技术即将迎来市场蓬勃发展期,而被国际标准组织纳为其ISO18000-6修正标准Type C协议的EPC global Class1 Gen2协议,......
乘法器是微处理器中的重要部件,它的设计与实现直接影响着整个数字系统的性能,因此高性能乘法器的设计仍然被关注。另一方面,激烈......
标准单元库在整个ASIC后端设计中的各个阶段扮演着极其重要的角色,一个性能优良的标准单元库可以给设计最终的成功提供有力的保障......
随着集成电路技术的迅猛发展，半导体工艺已从深亚微米迈入了纳米级别，晶体管层次设计的复杂程度也越来越高，系统级集成电路芯片的规模......
随着半导体工艺技术的发展，集成电路的工艺节点不断减小。先进纳米工艺下，复杂的工艺制造过程导致晶体管性能不稳定甚至异常。晶体管......
该文系统地研究了超高速FFT芯片版图设计的过程及要点.首先对于标准单元库及其建立做了简略的回顾.在对自顶而下的ASIC设计方法学......
现代集成电路工艺的发展以及集成电路设计水平的提高对集成电路版图设计提出了严峻的挑战.本文按照版图设计从底层到顶层的顺序组......
随着技术的不断积累与成熟,为推出一款体积更小、性能更高的CMOS图像传感器芯片提供了可能.为缩小版图面积,降低成本并进一步提高......
基于IP的设计将成主流 中国华大集成电路设计中心 黄国勇 IP类似于标准单元库,只是其集成度更高、功能更为完整,例如微处理器核、......
从电路设计技术的角度探讨了大驱动能力输出驱动器设计中降低电源线上同步开关噪声的方法，讨论了输出驱动器电源与输入驱动器电源以......
亮点：1）同一个包括标准单元库和存储器实例的设计套件（以下简称设计套件）可优化一个系统级芯片（SoC）上的所有处理器内核,该设计套件包括......
为了实现与商用CMOS工艺兼容和最好的抗辐射效果，采用环形栅结构消除NMOS管中由总剂量效应引起的漏电流，采用保护环减轻单粒子闩锁效......
针对亚波长光刻条件下标准单元设计中可能遇到的与物理设计相关的可制造性问题，提出了新的工艺规则和解决方法设计标准单元库。使用......
本文提出了一种SDRAM接口的设计方法，巧妙地将集成电路标准单元库供应商所提供的双向IO单元运用于SDRAM的时钟路径上，大大减小了由外......
介绍了 Ga As ASIC标准单元库构成、分类和特点。说明了标准单元库的噪声容限、瞬态特性和单元扇出能力的描述方法。介绍了该库的......
新思科技公司（Synopsys，Inc．）目前发布其专为支持多种处理器内核的优化实现而设计的套件，以作为DesignWare Duet嵌入式存储器以及逻辑库......
本文设计了一款测试芯片用于验证标准单元库功能以及延迟测量,其中验证标准单元库功能部分电路采用的是数字集成电路的自动化设计......
芯原股份有限公司（芯原，VeriSilicon），主要基于中国半导体生产工艺的领先芯片设计代工厂和世界一流的集成电路代工厂中芯国际（“SMIC”；N......
用标准单元库和阵列方法进行混合电路的设计只有五、六年的历史。它们具有数字半定制芯片集成度高、速度快、功耗低的优点。但由于......
随着深亚微米工艺技术的发展，0．18μm COMS工艺巳成为国际主流的集成电路工艺标准。国内的深亚微米工艺也日趋完善，我们首家针对中芯......
介绍了一种ＣＭＯＳ标准单元库评估电路的设计思想，分别就单元延迟参数、扇出延迟特性、线负载延迟特性、触发器延迟特性、最高振荡频率等参......
Synopsys与上海华虹NEC电子宣布．双方将携手开发应用于华虹NEC 0.18μm工艺的参考设计流程2．0。华虹NEC选择Synopsys作为其首选EDA供......
