少数载流子寿命相关论文
本文通过介绍太阳能电池用晶体硅现行各级标准整体现状，着重分析了现行太阳能电池用晶体硅产品标准及检测方法标准中存在的问题，并提......
利用脉冲触发信号在半导体中产生非平衡态载流子的方式，提出一种使用太赫兹连续源和超快速响应探头测量半导体少数载流子寿命的方法......
介绍了用微波反射法测量HgCdTe中的少数载流子寿命 ,分析了其测量原理 ,并与接触式的光电导衰减法进行了对比。
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半导体的检测与分析是一个介于基础研究与应用研究之间的领域,涉及内容广泛。随着半导体科学技术的快速发展,半导体材料测试与分析......
<正> 众所周知,硅具有一系列的特性,使之成为很有吸引力的半导体材料。主要的理由是资源丰富,二氧化硅在地壳中占28％,这就使硅材料......
本文研究高能氩离子注入硅单晶片背面,对单晶片正面有源区里的重金属杂质等的吸杂效果.吸杂作用以少数载流子寿命的提高来衡量.结......
三结砷化镓太阳电池工艺和结构优化使其效率可达30%以上,将成为空间太阳电池服役的主要产品。本文将利用空间环境地面模拟装置以及......
本文主要从理论上和实验上研究了硅材料、工艺与太阳电池少子寿命的关系.采用微波光电导衰减法对材料的少子寿命进行分析、测量.当......
光热光偏转(Photothermal deflection, PTD)技术是一种基于光热效应建立和发展起来的无损检测技术,因其具有灵敏度高,不需要对样品......
报导了经电子辐照后的高阻 (4 5～ 70Ω·cm)NTD FZ Si p+nn+结的N Si中缺陷态在氮气保护下的等时、等温退火特性 ,而且获得了主要缺......
提出了一种新的测量成品太阳电池基区少子寿命的方法,这种方法在电池制备完成后进行测量.此方法还可对印刷电极后烧结这步工艺流程......
本文基于微波光电导法的测量原理，从单晶硅材料中的电导率和少数载流子浓度的关系着手，提出了一个基于激光一微波双辐射源的硅材料非......
<正>IGBT具有不同的内部结构,不同的特性,因此也对应着不同的应用要求。本文将详细地介绍这些不同的结构,同时,论述这些结构的特性......
建立了阶跃光激励下半导体材料温度变化的一维理论模型.采用本征函数法得到了阶跃光激励下半导体中光生载流子和温度随时间的变化......
发光二极管（LED）是卫星光通信系统中重要的光源部件,它的工作性能直接影响着光通信系统的可靠性。对粒子辐照条件下LED器件的少数载......
准确测量太阳能电池材料少数载流子寿命在电池研究生产中至关重要。利用开路电压衰减（OCVD）技术以ns光脉冲（光脉冲宽度8 ns、频率为10......
采用金属催化腐蚀法分别在(100)和(111)硅片表面制备出大面积垂直排列和倾斜排列的单晶硅纳米线阵列,垂直阵列在300～1000nm波段的平......
新型区熔硅单晶北京有色金属研究院成功地研制出φ１００ｍｍＮ＜１１１＞ＮＴＤ区熔硅单晶，它是用于制做高电压、大电流功率器件的一种新型材料。晶体直径φ１００ｍｍ；电阻......
本文主要说明高频光电导法测试硅单晶少数载流子寿命时,必需确保小注入的要求,讨论了目前测试工作中存在的问题,并以等效电路说明......
<正> 少数载流子寿命、电阻率以及腐蚀斑点是衡量半导体材料品质的主要因素.对于硅来说,由于表面复合速度高,电阻率变化范围大,因......
<正> 一、前言半导体工业的发展非常迅速,单晶硅锭直径已从φ30mm左右逐渐向大直径过渡。目前世界上有φ200mm硅片投入生产线,而半......
利用脉冲恢复技术测量了有限宽基区n＋-on—P光电二极管中的少子寿命．实验发现，反向恢复时间同正、反向电流的大小有关．从恢复时间t。与......
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近年来,半导体激光器加上低损耗光纤对光纤通信产生了重大的影响,并加速了它的发展。然而目前商用化激光器器件多采用Ⅲ-V族半导体......
该文采用多晶硅太阳电池模型,通过引入空间电荷区复合速度来研究空间电荷区复合对少子寿命的影响,从计算结果中发现当复合速率大于......
少数载流子寿命(以下简称少子寿命)是衡量晶硅半导体性能的重要参数。在实际生产中少子寿命受到多种因素的影响,如硅片厚度、杂质......
阶跃恢复二极管是超宽带引信产生窄脉冲信号的核心器件,阶跃恢复二极管参数影响窄脉冲信号的幅度和宽度。依据半导体器件理论和阶......
对电池片生产过程中的各工艺参数及测试方法进行了研究,阐述了其对电池片质量的重要性,为电池片过程控制提供了保证。......
为了更好地了解N型4H-SiC的电学特性,评价其晶体质量,采用激光技术和微波光电导作为非接触、非破坏性测量半导体特性的一种工具,描......
通过高频光电导法研究了超薄晶硅片少数载流子寿命的变化规律,分析了碱液腐蚀速率、表面缺陷态的变化对少子寿命的影响,得到:在现......
低能质子辐射会使电池产生较大的非电离能量损失,导致少数载流子寿命降低从而破坏GaInP/GaAs/Ge电池的电性能,其中尤以中间的GaAs......
本文利用傅里叶红外光谱仪等手段对InAsSb以及InNSb薄膜的远红外反射光谱以及光电流响应光谱等进行了研究，同时还利用波长可调谐的......
本文通过对测试少数载流子寿命的各种方法进行分析后提出了一种新的测量成品太阳电池基区少数载流子寿命的方法,这种方法通过分析......
¨前太阳能电池行业多用管式PECVD法沉积氮化硅减反射钝化膜,然而管式设备对于实现薄膜沉积的均匀性有一定的局限,其原因在于反应......
太阳电池基区的少数载流子寿命是影响电池效率的重要因素之一.开路电压衰减法(OCVD)具有直接、简单、重复性好等特点,可准确测量器......
提出了一种快恢复二极管新结构 :少数载流子寿命横向非均匀分布 (m inority- carrier life tim e lateral non- u-niform distribu......
冶金法作为一种生产太阳能级硅的新方法具有低成本、低能耗且可直接从工业硅提纯至太阳能级硅等优点,但冶金法多晶硅中存在大量的......
随着太赫兹辐射源和探测器的迅速发展,太赫兹波功能器件的应用研究得到了广泛的重视。本文主要进行了基于光电导效应的太赫兹波透......
通过传统光电导衰退法和微波反射光电导衰退法两种方法对长波、中波及短波碲镉汞材料进行了载流子寿命测试,并对结果进行了比较。......
高频光电导测量硅单晶寿命的方法在国内半导体材料行业广泛使用,经过长期的实践积累了丰富的经验。本文试图就方法原理、仪器性能......
GaAs太阳电池是空间各类航天器的主要能量来源,在空间中的应用也越来越广泛。但是位于空间的太阳能电池会受到空间粒子的照射,从而......
