ZnO 作为一种宽禁带半导体材料(3.3eV),其激子束缚能高达60meV,比室温热离化能26meV 大很多,是一种合适的用于室温或更高温度下的紫外光发光材料,具有大的束缚能的激子更容易在室温下实现高效率的受激发射。因此,对ZnO 的研究已成为继GaN 之后宽禁带半导体研究的又一热点。本论文的主要工作是利用等离子增强MOCVD法和射频溅射法在蓝宝石和Si 衬底上生长出了高质量的ZnO 薄膜,对不同条件下生长样品的结晶质量、光学、表面形貌和电学特性等进行了比较研究,首次使用光电子能谱结合氩离子束刻蚀对生长的ZnO/Si 异质结构进行了深度剖析。在国内首次利用MOCVD 技术在p-Si 衬底上生长的n-ZnO 薄膜成功地制作n-ZnO/p-Si 异质结光电二极管,并分析了其特性,n-ZnO/p-Si 异质结的正向电流随着正向偏压呈指数关系迅速增加,正向开启电压大约1.5V,不同条件下制备的n-ZnO/p-Si光电二极管都观察到光电效应。对p-ZnO 开展了初步的研究,使用两种掺N入ZnO 薄膜的方法制备了p-ZnO,其中在氮化处理的Si 表面上生长p-ZnO薄膜的方法是首次采用,其最大载流子浓度为1.12×1018cm-3。在国内首次利用MOCVD 法成功地制备了MgxZn1-xO 合金薄膜,当0≤x≤0.39 时,合金薄膜能够保持ZnO 的六角晶体结构,超过这个限制就会出现MgO 分相,在这一范围内合金薄膜的能带宽度在3.3eV 到3.95eV 之间变化。