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采用固相反应法制备了Bi_4Ti_3O_(12)(BIT)及其Nb掺杂Bi_4Ti_(3-x)Nb_xO_(12+x/2)(BTN,x=0、0.015、0.03、0.045、0.06、0.09)铁电陶瓷，在此基础上采用射频溅射法制备了BIT及其Nb掺杂BTN铁电薄膜。研究了制备工艺和Nb掺杂对BIT及其Nb掺杂BTN铁电陶瓷和薄膜结构与性能的影响。通过XRD、SEM等微观分析手段和铁电参数测试仪、低频阻抗分析仪等铁电、介电测试仪器，研究了成型压力、烧结工艺（包括烧结温度、烧结时间、升温速