场效应迁移率相关论文
共轭聚合物薄膜晶体管得益于其丰富的材料来源、低温低成本工艺、兼容柔性基底、溶液法大面积制备等特点,在学术和商用领域飞速发......
在平板显示领域中,薄膜晶体管（Thin Film Transistor,TFT）作为像素的基本单元起着非常重要的作用。其中,氧化物基TFT因为其具有高迁......
碳纳米管因其各方面优异的性能,已被应用到多个领域。例如单壁碳纳米管具有高的载流子迁移率、较长的平均自由程而被广泛用到集成......
有机发光器件OLED(Organic Light-emitting Device)由于其优异的发光性能,被普遍认为在平板显示方面有着广泛的应用前景,是下一代......
针对界面态密度在禁带中的不均匀分布,分析了界面态电荷对n沟6H碳化硅MOSFET场效应迁移率的影响.分析结果显示,界面态电荷使n沟碳......
研究了不同厚度有源层的顶电极CuPc-OTFT器件的电学特性。发现器件的性能与有源层厚度有依赖关系，其中，有源层厚度为20nm的器件性能......
基于溶液法制备稠合噻吩-吡咯并吡咯二酮聚合物薄膜晶体管，比较不同制备环境下的薄膜晶体管的转移特征曲线。结果表明，旋涂环境对聚......
为了研究SiC/SiO2界面粗糙度对SiC MOS器件构道迁移率的影响,在离子注入后高温退火过程中采用碳膜保护SiC表面以减小退火过程中产......
有机场效应晶体管（Organic field effect transistor,OFET）的非线性特性是指其输出特性曲线在较低的漏极电压下出现类似于二极管的电......
制备了具有修饰层的有机薄膜场效应晶体管，采用高掺杂Si作为栅极，传统的无机绝缘材料SiO2作为栅绝缘层，有机绝缘材料PMMA或OTS作为修......
采用射频磁控溅射法制备了氧化锌基薄膜晶体管（ZnO-TFTS），研究了氩氧分压比对ZnO薄膜生长以及ZnO-TFT电学特性的影响。结果表明：氩氧分......
研究制备了包含双层绝缘栅的聚合物薄膜场效应晶体管(PTFT),采用介电常数比较高的Ta2O5和介电常数较低的聚丙烯腈(PAN)作为双层绝......
研制了4H-SiC热氧化生长氧化层埋沟nMOSFET，用室温下N离子注入的方法形成埋沟区和源漏区，然后在1600℃进行激活退火，离子注入所得到的......
合成了以（E）-[4,4’-biimidazolylidene]-5,5’（1H,1’H）-dione（BID）为受体单元,并噻吩和联噻吩为给体单元的四种共轭聚合物（P1-P4）,通过核......
利用射频磁控溅射技术室温制备了铟镓锌氧（IGZO）薄膜,采用X射线衍射（XRD）表征薄膜的晶体结构,原子力显微镜（AFM）观察其表面形貌,分光光度......
双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管（DG a-IGZO TFTs）具有比单栅a-IGZO TFTs更优良的电学性能.文中基于a-IGZO/SiO_2界面缺陷态呈指数型分布......
台湾大学电气工程系报道了他们制作的a-Si∶H TFT,其场效应迁移率高达3～5cm~2/V·s;在阈值附近,电压仅变化0.28～0.5V,电流即变化一......
采用旋涂法制备硅烷偶联剂-氧化石墨烯（KH550-GO）新型复合栅介质薄膜,由于栅介质层和沟道层界面处明显的双电层效应,单位面积电容高......
有机薄膜晶体管(OTFTs)具有制备成本低、可大面积生产、柔性等优点,有望成为有机电子学和平板显示技术的核心器件。为了深入研究有......
共轭高分子具有机械性能好,热稳定性高,可溶性好,液相成膜简单,制备成本低,适合于制备大面积柔性器件等优点,高分子有机场效应晶体......
本文进行了如下具有创新性的研究工作。在自行设计的水平式有机晶体的气相沉积装置中,进行了并五苯单晶薄膜的重复性再生长研究。......
绝缘层的表面形貌、厚度等因素对有机薄膜晶体管起着非常关键的作用,直接影响到有源层材料在其上的分子排布方式和器件性能。所以......
我们提出利用有机小分子空穴注入材料m-MTDATA来改善金与并五苯表面层之间的空穴注入特性。有机空穴注入材料m-MTDATA具有较低的电......
自从1986年第一个聚噻吩有机薄膜晶体管问世以来，有机薄膜晶体管凭借其有源层取材广泛、成本低、制备工艺简单等优点逐渐成为国内外......
近年来,氧化物薄膜晶体管因其场效应迁移率高、透光性好、易于大面积制备等优点而引起广泛的关注。然而,由于传统栅介质材料介电常......
氧化物半导体薄膜晶体管(Oxide Semiconductor Thin Film Transistor,AOS TFT)因具有良好的电学特性和光学特性,在学术界、工业界......
本论文的主要内容为研究以氧化锌薄膜为有源层,制备氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT),分别从氧化锌薄膜的厚度,利用不同材料进行界面修饰......
以有机半导体材料作为有源层的有机场效应管（Organic Field Effect Transistor,OFET）,因其具有独特优点,如低成本、低功耗、制备工艺......
本文的主要研究方向为利用修饰层提高和改善并五苯有机薄膜晶体管(Organic Thin-Film Transistors, OTFT)的电学特性,并且研究了性......
栅绝缘层的表面性质对有机场效应晶体管(OFETs)的半导体薄膜的形貌、晶粒生长的有序性和载流子的传输有着重大的影响.研究表明,通......
