绝缘层/有源层界面修饰及对有机薄膜晶体管性能的影响

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tjkjkfzx

【摘要】

：

制备了具有修饰层的有机薄膜场效应晶体管，采用高掺杂Si作为栅极，传统的无机绝缘材料SiO2作为栅绝缘层，有机绝缘材料PMMA或OTS作为修饰层，CuPc作为有源层，Au作为源、漏极.测试结果

【作者】

：

陈玲朱文清白钰刘向蒋雪茵张志林

【机构】

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上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室,上海大学材料科学与工程学院

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年10期

【关键词】

：

有机薄膜晶体管栅绝缘层场效应迁移率修饰层 organic thin-film transistors gate dielectric field-eff

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制备了具有修饰层的有机薄膜场效应晶体管，采用高掺杂Si作为栅极，传统的无机绝缘材料SiO2作为栅绝缘层，有机绝缘材料PMMA或OTS作为修饰层，CuPc作为有源层，Au作为源、漏极.测试结果表明，采用经过修饰的栅绝缘层SiO2/OTS和SiO2/PMMA的两种器件的开关电流比最高可达8×10^4，迁移率最高为1.22×10^-3cm^2/（V·s），而漏电流仅为10^-10A，总体性能优于单层SiO2器件.

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