围栅MOSFET相关论文
为抑制短沟道效应和热载流子效应,提出了一种非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET新结构.通过在圆柱坐标系中精确求解三段连续......
目前,半导体产业正在经历着巨大的变革,半导体器件的结构不在仅仅局限于传统的平面结构,而是向着三维立体化的新型器件结构发展。......
随着集成电路(IC)工艺特征尺寸进入纳米量级，传统平面金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的应用面临诸多挑战。在各种新型半导体器件......
随着半导体技术的发展,常规二维金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的特征尺寸已接近物理极限,并出现了许多非理想效应。而新型多栅......
