肖特基源漏相关论文
围栅硅纳米线晶体管(SNWT)与传统CMOS工艺兼容性良好,能够有效抑制短沟效应,并可以实现三维集成,因此,被认为是最具有潜力应用在未......
随着MOSFET特征尺寸的不断减小,为了有效抑制器件的短沟道效应,一直以来,在MOSFET栅介质层厚度不断减小的同时,其源漏结深也不断减......
随着半导体器件等比例缩小至纳米领域,器件的部分技术指标已经或者正在接近其固有的物理极限,各种纳米效应与可靠性问题限制了器件......
通过考虑肖特基势垒降低效应求解三段连续的二维泊松方程,建立了双栅掺杂隔离肖特基MOSFET亚阈值区全沟道连续的电势模型。在该电......
