半导体化合物相关论文
近年来，新型材料层出不穷，六方氮化硼单层、氮化硼纳米管、碳纳米管、石墨烯等作为低维材料中的代表，在自旋电子学、纳米电子器件等领......
提出了一种消除激光化学诱导液相腐蚀晶体取向影响的新方法———两步腐蚀法。激光化学液相两步腐蚀法实质上是加长非晶向方向图形......
ZnS是具有大直接带隙的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物,室温下其禁带宽度为3.68ev。当纳米ZnS粒子的粒径小于其激子波尔半径(5nm)时,它能够呈......
含有过渡金属的磷族Zintl相化合物结构多样,性质丰富多彩,是近几年来科学家们研究的热门领域之一。这些化合物,在结构方面,涵盖了......
K4Nb6O17是一种二维层状结构半导体化合物，由于它特殊的层状结构及化学特性在光催化领域受到了广泛关注。但其禁带宽度较宽，对可见光......
半导体化合物CuInSe2是铜铟硒薄膜太阳能电池吸收层的基本材料,通过对CuInSe2材料的掺杂,可以有效的提高CIS太阳能电池的转换效率,......
提出了一种激光诱导液相腐蚀新方法——抗蚀膜掩蔽法。抗蚀膜掩蔽法是指在激光腐蚀中,用抗蚀膜来实现对激光腐蚀区域的控制。理论......
用全电势线性缀加平面波法加局域轨道方法调查了黄铜矿半导体CuInS2的结构、电子和光学特性.我们计算的带隙0.17 eV是直接的,其它......
利用激光辅助合金的方法 ,生成InP表面AuGeNi InP合金 ,并形成良好的欧姆接触 ,上下表面面间电阻为5 .8Ω。研究了合金工艺参量 (......
在室温下,运用反射椭偏光谱技术,对生长在砷化镓上的铝镓铟磷以及铝镓铟磷(掺硅)两样品进行了研究.测得它们在可见光区的光学常数,......
利用金属预制层硫化法制备出黄铜矿结构的CuAl1-xNixS2多晶薄膜。Ni对Al的取代导致晶格膨胀,晶胞体积从x=0的0.294 0 nm3增加到x=0......
本文分析了碲镉汞(HgCdTe或MCT)中Te沉淀相、Hg空位的拉曼散射峰,以及碲镉汞表面完整性与它的二级拉曼散射峰的关系.MCT中的Te沉淀......
数据挖掘是当今信息科学研究的一个热点，其涵义是综合运用多种算法，对来自多种渠道的大量数据进行计算机处理，通过去粗取精、去伪存真......
用射频磁控反应溅射法分别在未加热和加热的石英玻璃衬底上制备ZnO薄膜,在不同温度下进行退火处理,研究衬底温度、退火条件对其结......
利用溶液回路电流和红外热像监测，研究了电极距离对半导体激光电化学刻蚀速率和电化学横向钻蚀特性的影响。实验结果表明，电极距离由......
ZnS是一种典型的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物,可用于平板显示器、电致发光器件、红外窗口等材料,最近引起了研究者的普遍关注,例如纳米颗......
ZnO是一种重要的紫外半导体光电器件材料.本文用金属有机化合物在玻璃管内高温加热分解迅速拉制的方法,在直径为169μm的玻璃丝内......
本论文利用基于密度泛函理论的第一性原理模拟,对二元半导体化合物(ANB8-N,N为A元素的最外层价电子数)在高压下的结构相变行为进行......
<正> 一、引言 颜色玻璃除了离子着色外,还有Au、Ag、Cds、CdSe等“单质”或化合物着色;按照传统的概念,后者称为玻璃的胶体着色,......
本博士学位论文主要是利用电化学原子层沉积法(EC-ALD)在不同基底上沉积制备了几种功能性半导体纳米薄膜材料,并探讨了这些功能薄......
半导体纳米粒子因其优异的光学性能、催化性能及力学、磁学等方面的特性而引起了凝聚态物理界、化学界及材料界科学家们的极大关注......
概述了金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)的一般原理,讨论了适用于金属有机化学气相沉积的前驱体化合物及反应器类型,介绍了金属有......
期刊
本博士学位论文中,作者利用电化学原子层沉积(EC-ALD)和液相还原法等技术分别制备了CuInS2等几种功能纳米材料,进而采用表面分析、......
随着半导体技术的飞速发展,以InAs和InP为代表的Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物在可调器件和光电设备等方面有广泛应用,因而它们受到了世界各......
用激光诱导扩散和激光辅助合金的方法，制成InGaAs/InP探测器，响应度达到0.21A/W。据我们所知，国内还未见关于用激光微细加工技术制作1......
