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随着5G高速移动网络相关技术的逐步成熟，万物互联的时代即将到来。移动终端的大规模普及带来了数据规模的跨越式增长，以大数据算法为......
随着计算机处理器核数的不断增加，静态随机访问存储器因功耗和技术限制，已经无法满足系统越来越大的缓存需求。虽然动态随机访问存储......
2015年8月13日，是德科技公司（NYSE：KEYS）宣布推出配合逻辑分析仪执行DDR4×16 DRAM （动态随机存取存储器）设计测试的全新BGA （球形栅格阵......
BaxSr1-xTiO3(BST)是动态随机存取存储器(DRAM)中常规电容介质SiO2的替代材料.用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si及Pt/Ti/SiO2/Si基片上......
采用非易失性主存储器（NVMM）为主存的计算机会大大减少计算机的开机时间，提升存储能力，而且非易失性存储器在断电后仍能存储数据，因此拥......
三星电子推出采用30纳米级企业服务器1．25V16GBDDR3RDIMM（RegisteredDualInlineMemoryModule）产品。...
本报综合报道 7月2日，日本半导体公司尔必达宣布，已与美国半导体巨头美光科技公司签署协议，后者将出资2000亿日元（约合25亿美元）收购尔......
多种来源的漏电流和寄生电容会引起DRAM的故障,在DRAM开发期间,工程师需仔细评估这些故障模式,当然也应该考虑工艺变化对漏电流和......
介绍了动态随机存取存储器(DRAM)的最新制造技术、0.1μm特征尺寸理论极限的突破和相关新技术的进展,并展望了3种非易失性随机存取......
传统磁盘存储设备因其固有的机械特性,已不能满足当前的数据密集型应用程序的需求。基于闪存的固态存储设备(solid state drive,SS......
