三维集成电路中内存的经时击穿分析与检测

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三维多处理器内存堆叠系统能够显著提升系统性能,但伴随而来的热密度以及散热成为影响电路可靠性的关键问题.为了研究并检测三维集成电路结构中内存的经时击穿效应,笔者采用了一种SPICE物理模型,基于蒙特卡罗仿真的方法,对栅极击穿漏电流造成的电路影响进行了分析.同时根据内存中灵敏放大器的特点,笔者提出了基于45nm工艺节点的经时击穿检测电路,适用于大规模存储电路集成;并对检测电路在偏置温度不稳定性影响下的工作情况加以分析.实验仿真结果表明,相比字线驱动电路,灵敏放大器更易受到经时击穿的影响.提出的检测电路可以实现
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