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BaxSr1-xTiO3(BST)是动态随机存取存储器(DRAM)中常规电容介质SiO2的替代材料.用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si及Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了较高品质的BST薄膜.系统地研究了在不同退火条件下薄膜的结晶情况、微结构和电学性能.在室温100 kHz下,薄膜的介电常数为230.在3 V的偏压下,薄膜的漏电流密度为1.6×10-7 A/cm2.利用HCl/HF刻蚀溶液成功获得了分辨率达到微米量级的BST薄膜微图形.