剂量增强相关论文
研究针对Coγ射线和30~100keV的X射线设计了两套多层平板铝电离室.用设计的电离室分别测量了Coγ射线Au/Al界面剂量梯度分布和30~1......
研究针对Coγ射线和30~100keV的X射线设计了两套多层平板铝电离室.用设计的电离室分别测量了Coγ射线Au/Al界面剂量梯度分布和30~1......
主要介绍了塑料封装和柯伐盖封装的 CMOS器件 ,在不同情况的 x射线辐照下 ,其辐照敏感参数阈值电压随总剂量的变化关系。将 x射线......
介绍了低能X射线和γ射线的辐照剂量及器件阈电压漂移的测试方法。讨论了不同偏置条件和辐照方向对器件效应的影响。结果表明 ,对......
研究设计了多层平板铝电离室.用该电离室测量了30—100 keV宽谱同步辐射X射线在Kovar/Au/Al，Pb/Al，Ta/Al界面附近的辐射剂量梯度分布......
首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法。用该方法测量了 CMOS器件 X射线的相对剂量增强因子 RDEF(Relative Dose Enhancement......
本文研究了高原子序数材料金与铝交界时60Coγ射线在铝一侧产生的剂量深度分布,测试结果表明在界面附近有明显得剂量梯度分布,铝材......
研究探索半导体器件电路电离辐射损伤效应和机理,提高其抗辐射水平是近年国内外微电子学领域十分重视的课题之一.抗辐射电子学已逐......
首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法.用该方法测量了CMOS器件X射线的相对剂量增强因子RDEF(Relative Dose Enhancement Fac......
基于60Co-γ射线和10 keV X射线辐射源,系统地研究了55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的电离总剂量效应,并特别关注其电学......
用蒙特卡罗（Monte Carlo）方法计算不同能量的X射线在金-硅（Au-Si）界面处产生的剂量增强系数（DEF）与金（Au）和硅（Si）厚度的关系。结果表明：Au和S......
用Monte-Carlo光子-电子耦合输运程序计算了真实半导体封装Kovar结构对不同能量X射线在硅中的剂量增强因子,并与内层不涂金的Kovar......
研究了ＣＭＯＳ电路在Ｘ射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应，测量了相对剂量增强系数，对不同工艺ＣＭＯＳ电路的剂量增强系数进行了比较，并对高原子......
介绍了低能X射线和γ射线的辐照剂量及器件阈电压漂移的测试方法.讨论了不同偏置条件和辐照方向对器件效应的影响.结果表明,对镀金......
为了研究X射线入射方向对界面剂量增强的影响，通过建立一个典型的金／硅界面结构模型，采用MCNP蒙卡计算程序计算50keV能量X射线以不同......
本文介绍了剂量增强效应的起因、定义以及器件和电容器的剂量增强效应;提供了一般电子系统中使用的器件在X,γ射线环境中的剂量增......
简述了Ｘ射线辐射对材料产生剂量增强效应的物理过程，着重介绍了Ｘ射线剂量增强对电子器件的影响。这种剂量增强使Ｘ射线辐射引起的损伤比......
用蒙特卡罗（MonteCarlo）方法计算Au—SiOz界面的剂量增强系数（DEF）随能量的变化关系及不同厚度的Au对Au—SiOz界面剂量增强系数的影响......
本文介绍典型双极晶体管在Ｘ射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应，实际测量了双极晶体管Ｘ射线辐射剂量增强系数，研究了双极器件剂量......
在器件的金属化层及封装等结构中,高原子序数材料在低能X射线的辐照下,会在相邻的低原子序数材料中产生剂量增强效应,从而使得器件......
首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法.用该方法测量了CMOS器件X射线的相对剂量增强因子RDEF(Relative Dose Enhancement Fac......
为了实验精确测屡场效应管的X射线剂量增强系数，介绍了如何改进剂量增强系数实验测量的方法和实验测量装置，以及实验测量的详细过程......
当X射线入射不同材料组成的界面时,在低Z材料的一侧将产生剂量增强,介绍了剂量增强效应的基本原理,并采用MCNP5构建三维铅铝屏蔽盒......
用蒙特卡罗方法（MCNP）计算不同能量的X射线在Au-Si-Au界面处产生的剂量增强系数（DEF）与金（Au）和硅（Si）厚度的关系.结果表明,界面下的DEF随A......
用Monte Carlo方法计算了封装材料/金属化层-Si结构(Au/Au-Si、Au/Schottky-Si、Ko-var/Au-Si、Kovar/Schottky-Si、China/Au-Si、......
期刊
基于60Co-γ射线和10keV X射线辐射源,系统地研究了55nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的电离总剂量效应,并特别关注其电学特......
