X 射线在金-硅界面剂量增强系数与金和硅厚度关系的模拟研究

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用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法计算不同能量的X射线在金-硅(Au-Si)界面处产生的剂量增强系数(DEF)与金(Au)和硅(Si)厚度的关系。结果表明:Au和Si的厚度影响界面下的DEF ,界面一侧Si中的DEF随Au和Si厚度的增加而增大。此外还研究了确定的Au厚度在界面下不同位置处的DEF随能量的变化关系,界面处的DEF最大,离界面越远剂量增强效应越小。
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