【摘 要】
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当X射线入射不同材料组成的界面时,在低Z材料的一侧将产生剂量增强,介绍了剂量增强效应的基本原理,并采用MCNP5构建三维铅铝屏蔽盒模型,计算了不同能量的X射线透过铅与铝产生
【机 构】
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深圳大学核技术研究所,吉林大学物理学院,中国科学院新疆理化技术研究所,巴黎第十一大学核物理研究所
【基金项目】
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国家重点研发计划(2017YFF0106500),国家自然科学基金(11575118),载人航天预研项目(010501),深圳市基础科学基金(JCYJ20170818100556755)
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当X射线入射不同材料组成的界面时,在低Z材料的一侧将产生剂量增强,介绍了剂量增强效应的基本原理,并采用MCNP5构建三维铅铝屏蔽盒模型,计算了不同能量的X射线透过铅与铝产生的次级电子能谱以及穿过屏蔽盒后的金硅界面剂量深度分布.模拟计算表明,能量低于300 keV的X射线穿过铅铝屏蔽盒后的次级电子通量明显降低,剂量增强效应几乎可以忽略,界面硅一侧剂量均匀分布,并且实验结果与计算结果几乎吻合.
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