击穿机理相关论文
自愈性能是金属化膜电容器工作场强得以提高的重要原因，其主要包括介质膜击穿及金属层退化两个过程。影响电容器自愈能量的因素包括......
油纸复合绝缘是当前电力设备最为主要的绝缘方式之一,其中绝缘油起着散热和绝缘双重作用.已有工作已表明,通过在变压器油中添加一......
随着GIS设备数量的迅速增长,其内部支撑绝缘子发生击穿的事故时有发生.文章对多起击穿事故进行了归纳总结,分析了发生故障的主要原......
会议
深入研究了MOS器件TDDB的击穿机理,并对器件寿命模型进行分析.研究结果表明:随着栅厚的不断减薄,E和1/E寿命预测模型的预测值与实......
本文通过分析具有局域空槽结构的SOI LDMOS在反偏时电荷和电场分布,指出束缚在空穴槽底部Si/SiO界面的反型层空穴是提高器件耐压的......
本文介绍了一种基于硅衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的泄漏电流的击穿机理.通过基于物理模型的二维计算机仿真,对该击穿......
对等离子体增强化学汽相起积（PECVD）法制成SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品，由集成测试系统测量Ⅰ－Ⅴ特性，用晶体管特性图示仪测试击穿行为......
本文简要地介绍了应用于LDMOS器件的一种最新技术——Resurf技术及其击穿机理,总结了该器件的击穿电压、导通电阻以及外延层电阻率......
本文针对"闪光二号"加速器水介质主开关,分析了水介质开关的击穿机理,对于实际应用中的水介质开关,分析了其场强分布,通过分析实际......
该文主要介绍了他们研制的全耗尽型硅探测器的反向击穿特性，包括击穿现象、击穿机理以及预防低压击穿的方法等。......
CMOS集成电路的静电击穿一直是影响集成电路可靠性的一个重要因素。当器件尺寸缩小到1微米以下时，在减小芯片I/O尺寸，提高工作频率的......
忆阻器和能量存储电容器具有相同的三明治结构,然而两个器件需要的操作电压有明显差异,因此在同一个器件中,研究操作电压的影响因......
普冷温区环境下气体绝缘机理依然不够明朗.本文在温度–153-25 ℃,气压 50-2000 Pa的范围内对 CF4、N2、20%CF4/N2 以及 50%CF4/N2......
在总结分析了电触头在气体和真空介质中的击穿机理及过程的基础上。较系统地论述了电极面积、触头球面半径、触头间隙、真空度、电......
根据碰撞电离退陷阱理论指出了提高脉冲电容器绝缘介质工作场强的方向,并介绍了电容器多层绝缘结构、复合膜及绝缘材料的等离子体......
对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V......
该文利用衬底热空穴(SHH)注入技术分别控制注入到薄栅氧化层中的热电子和热空穴的数量,定量研究了热电子和热空穴注入对薄栅氧化层......
分析了超薄栅氧化层击穿的碰撞电离模型，并对空穴击穿机理进行了详细描述，为超栅氧化层的击穿机理的深入研究及超薄栅氧化层击穿模型......
氧化层的经时击穿是集成电路中一个非常重要的问题，从理论上分析了氧化层经时击穿的电子俘获击穿机理，给出了相关的物理模型，同时指出......
在参阅大量文献的基础上,给出当前液体介质击穿理论的最新进展及成果:电子理论、气泡理论、小桥理论,并且比较分析不同理论的优缺......
为了解决薄层SOI(silicon-on-insulator)场LDMOS(laterally diffused metal oxide semiconductor)击穿电压偏低,容易发生背栅穿通......
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期刊
光电导开关(Photoconductive Semiconductor Switches简称PCSS’s)具有耐压强度高、通流能力强、寄生电感电容小、开关速度快和皮......
测试半导体GaN功率开关器件灵敏度对掌握器件性能具有重要意义,提出一种新型半导体GaN功率开关器件灵敏度测试技术。通过分析半导......
半绝缘GaAs光电导开关是利用脉冲激光器与半绝缘GaAs相结合组成的一类新型超快光电器件。与传统开关相比,半导体光电导开关具有触......
１现状与存在的问题高频介质加热技术是一项应用较为广泛的新技术，在金属焊接、淬火、塑料热合、农产品加热、烘干等方面已有广泛的应......
矿用高压电气设备的绝缘部分在实际运行过程中,往往同时经受电、热、机械和环境等因子的联合作用。这些因子将引起绝缘老化,最终导......
研究了在不同触发条件下半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性 .当触发光能量和偏置电场不同时 ,半绝缘GaAs光电导开关的击穿损坏程度也......
总结了目前国内外高性能真空触发开关技术的进展及发展趋势；分析了真空触发开关在击穿机理方面的研究情况；比较了目前真空触发开关在......
为了满足开关设备智能化发展需求,提高开关设备运行可靠性。本文研究了高压真空断路器的击穿机理,提出在断路器动作过程中采用电机......
氮化镓基电力电子器件在电力电子领域具有很大的应用潜力,其击穿电压的相关研究至关重要。目前GaN基电力电子器件的击穿电压距离其......
为解决换流变压器阀侧主绝缘所面临的击穿问题,探讨了极性反转电压下油纸复合绝缘的击穿机理。利用平板电极模型,在极性反转、台阶......
微弧氧化技术又称为微等离子体氧化技术或阳极火花沉积技术,这是一种在阀金属及其合金表面通过微等离子体放电,进行复杂的电化学、......
对不同层数的聚丙烯层压纸(PPLP)在液氮中的工频击穿特性进行研究,总结了击穿场强随PPLP层数的变化规律,得出多层PPLP的击穿场强随......
特高压输电具备超远距离、超大容量、低损耗的送电能力,能够提高资源的开发和利用效率,缓解环保压力,节约宝贵的土地资源,具有显著......
SOI(Silicon on insulator)技术相比体硅材料具有高速、高集成度、低泄漏电流和隔离性好等优点而越来越广泛的用于功率集成电路中......
近年来输电线路附近发生的山火对输电线路的可靠运行造成了严重威胁．分析和总结国内外山火对输电线路设备和外绝缘影响的研究进展，探......
