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SOI(Silicon on insulator)技术相比体硅材料具有高速、高集成度、低泄漏电流和隔离性好等优点而越来越广泛的用于功率集成电路中。由于薄层SOI在抑制闩锁效应、消除kink效应和降低寄生效应方面相比厚层SOI具有一定优势,使其常用于高压驱动电路中。高压电平位移电路中,pLDMOS(Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor,横向扩散金属氧化物半导体)是一种常见的高端器件。考虑到隔离及散热因素,薄层SOI p LDMOS的埋氧层不能太厚,使器件耐压受到限制;同时由于高端SOI p LDMOS在应用中不满足RESURF条件,增加了耐压设计的难度。本文针对上述问题,对薄层SOI高压p LDMOS的击穿机理进行了研究并开发300V薄层SOI LVD pLDMOS器件和200V薄层SOI pLDMOS器件和工艺。主要研究内容如下:1.300V薄层SOI LVD p LDMOS器件采用横向变掺杂技术(LVD)和Double RESURF技术以改善SOI pLDMOS的击穿特性,开发了适用于300V高压电平位移电路的SOI p LDMOS。提出了针对固定电压应用下的SOI p LDMOS的仿真设计方法,并采用传统和针对固定电压应用的仿真方法分别对器件击穿机理进行了研究和比较。结果表明,针对固定电压应用的仿真设计方法相比传统方法更能反映器件实际应用情况。经过工艺器件联合仿真,在埋氧层厚度为3μm、顶层硅厚度为1.5μm的SOI材料上,仿真设计得到器件的击穿电压为594V,满足电路应用要求。2.200V薄层SOI p LDMOS器件采用多层场板技术和补充注入技术提高器件击穿电压。采用针对固定电压应用的仿真方法对器件进行了仿真设计。多层场板技术使器件表面电场分布更加均匀,避免器件在表面发生提前击穿;采用补充注入技术,实现了浅结的p-field,解决了沟道不连续问题的同时,避免了器件发生背栅穿通击穿。开发了相应的高低压兼容工艺,进行了流片。实验结果表明,薄层SOI pLDMOS的击穿电压达到330V,成功应用于200V高压驱动电路,实现了0-5V到0-200V的电平转换。