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[期刊论文] 作者：张家慰,
来源：电子器件 年份：2004
一、引言 硅片上厚度在100以下的超薄氧化层在一些半导体器件的制造中起关键作用。随着超大规模集成电路的发展。它越来越受到人们的重视。在这一领域进行探索,对Si-SiO_2...
[期刊论文] 作者：张家慰,
来源：电子器件 年份：1979
随着半导体器件的发展和使用者对器体参数的更高要求,半导体的表面问题越来越受到重视。MOS器体和电荷耦合器件(CCD)都是表面器件,更受表面质量的直接影响。为了研究Si—SiO...
[期刊论文] 作者：林海安,张家慰,
来源：应用科学学报 年份：1992
系统研究了硅各向异性腐蚀对偏压的依赖及重掺杂的影响,建立了液一半接触能带模型和界面电荷传递模型,提出了反应注入概念且指出腐蚀速度通常依赖于界面态的填充情况,合理解...
[期刊论文] 作者：商陆民,张家慰,
来源：应用科学学报 年份：1989
离子注入、电子束和离子束曝光以及电子束蒸发等技术已用于超大规模集成电路生产中.但是,这些新工艺引入了高能粒子辐射,给MOS集成电路的概介质带来了新的缺陷.因此,寻找...
[期刊论文] 作者：张家慰,季萍,
来源：电子器件 年份：1978
一、概述: 随着我国社会主义革命和建设的发展及实现四个现代化的要求,对电子器件进一步小型化的需求也日益迫切了。这次我们结合毕业实践与南京无线电研究所共同承担了“计...
[期刊论文] 作者：张家慰,黄明程,
来源：传感器技术 年份：1987
本文介绍了SOS(兰宝石上生长硅单晶)传感器,多晶硅阻传感器以及SOI(绝缘衬底上生长硅)压阻传感器三种可以应用在高温的半导体力敏传感器的结构和制造工艺,着重介绍并分析比较...
[期刊论文] 作者：张家慰,赵正平,
来源：半导体学报 年份：1983
一、引 言 硅片上厚度在6A|°-50A|°范围内的超薄氧化层的性质已引起人们的广泛注意.因为它不仅在一些半导体器件制造中起关键作用,而且对Si-SiO_2界面性质的研究也有重要...
[期刊论文] 作者：黄明程,张家慰,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1988
为解决pn结隔离器件漏电大、击穿电压低、易受温度影响等一系列因素,本文提出了取代pn结隔离的一种SOG(Silicon-on-Glass)材料,它采用钝化玻璃膜作为介质隔离,玻璃膜的厚度为...
[期刊论文] 作者：林海安,张家慰,陈健,
来源：应用科学学报 年份：1992
系统研究了硅各向异性腐蚀对偏压的依赖及重掺杂的影响,建立了液一半接触能带模型和界面电荷传递模型,提出了反应注入概念且指出腐蚀速度通常依赖于界面态的填充情况,合理解...
[期刊论文] 作者：商陆民,张家慰,简耀光,
来源：半导体技术 年份：1987
本文报导对热氮化SiO_2膜的研究结果.热氮化SiO_2膜的腐蚀特性、抗氧化特性的研究表明膜的化学结构与SiO_2不同.采用AES表面分析技术观察了膜中化学成份,从而证实了膜中的氮...
[期刊论文] 作者：黄明程,张家慰,商陆民,
来源：传感器技术 年份：1987
目前,半导体力敏传感器大多采用在n型硅单晶上进行硼注入或硼扩散,形成四个扩散电阻,将这四个扩散电阻连接成惠斯登电桥,当无压力作用在硅片时,理想情况电桥输出为零,当有压...
[期刊论文] 作者：陆明莹,张家慰,简耀光,,
来源：南京工学院学报 年份：1985
用氨气对热生长的二氧化硅膜进行了氮化处理,测试了膜的电学特性,并研究了工艺对它们的影响。实验发现,热氮化二氧化硅膜兼有二氧化硅与氮化硅膜的优点,而且界面电荷在较大范...
[期刊论文] 作者：赵正平,张家慰,简耀光,,
来源：真空科学与技术 年份：1984
本文利用AES、XPS研究了硅上厚7A～47A的超薄氧化硅膜的化学键态。讨论了无定形SiO_2和Si衬底之间的界面区的化学结构。In this paper, the chemical bonding state of ultra...
[期刊论文] 作者：林海安,张家慰,陈健,黄明程,
来源：传感技术学报 年份：1993
本文介绍一种以玻璃作绝缘介质膜的SOG压力传感器,探讨了实现SOG材料良好键合的关键工艺,研究了以腐蚀自致停技术为核心的减薄成膜方法.结果表明,SOG传感器在高温、大压力方...
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