【摘 要】
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美国加州工学院在半绝缘衬底上制造了一种新型的GaInAsP注入式激光器。这种结构是在刻了槽沟的衬底上采用单层液相外延生长工艺方法形成的折射率波导型器件。电流的限制是通
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美国加州工学院在半绝缘衬底上制造了一种新型的GaInAsP注入式激光器。这种结构是在刻了槽沟的衬底上采用单层液相外延生长工艺方法形成的折射率波导型器件。电流的限制是通过GaInAsP有源层周围的半绝缘InP层来实现的。器件在250 μm腔长的条件下,阈值电流低至28mA,光-电流特性可线性上升到阈值电流,I_(th)的5倍。在1.20μm波长下直到1.3
California Institute of Technology in the semi-insulating substrate to create a new GaInAsP injection laser. This structure is a refractive index waveguide type device formed by a single-layer liquid phase epitaxial growth process on a grooved substrate. The current limit is achieved by a semi-insulating InP layer around the GaInAsP active layer. With a 250 μm cavity length, the threshold current is as low as 28 mA and the light-current characteristics can rise linearly to 5 times the threshold current, I th (th). At 1.20μm wavelength up to 1.3
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