液相外延生长相关论文
报道超薄有源层ＡｌｘＧａ１－ｘＡＳ／ＧａＡｓ分别限制双异质结构半导体激光器的液相外延的过程。讨论了过冷度、生长温度和降温速率等对生长速率的影响。扫描电......
本文叙述了液相外延的简单理论及其生长工艺.稳态生长和瞬态生长中的三种冷却技术都是以生长速率取决于溶质向界面的扩散快慢为依......
本文报道用水平滑舟系统液相外延制备n~+InSb/PHg_(1-x)Cd_(?)Te异质结.该异质结外延层厚度在15～25μm之间,由电镜扫描分析出外延层......
新型弛豫型铁电单晶Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 (PZNT)是由弛豫型铁电体PZN与普通铁电体PT组成的具有钙钛矿结构的固溶体。近年来，PZN......
两步液相外延生长是制作高质量、高效率p+-A1xGa1.xAs/p-n-n+-GaAs型太阳能电池的关键.本文就此问题进行了研究,得出结论:n-GaAs外......
用固态HgTe作为Hg补偿源,采用开管、水平滑块推舟的富Te液相外延(LPE)方法在碲锌镉(Cd1-yZnyTe, y＝0.04)衬底上外延生长大面积Hg1-x......
本文从基片和种膜、LPE的初始阶段研究和超导性能的控制这三个方面回顾总结了液相外延生长REBCO(RE=稀土元素)厚膜的研究进展.我课......
本文综述了RE(RE＝Y,Nd)BCO高温超导体厚膜在MgO基片上液相外延生长(Liquid Phase Epitaxy,LPE)的初始阶段研究.外延生长初始阶段直......
本工作通过对过去测定铝在硅中的固溶度的部分文章和数据较详细的分析,采用液相外延方法在温度区域700℃到1000℃之间,测得固溶度......
<正> （BiSmY）3（FeGa）5O（12）磁性石榴石单晶薄膜由正规的液相外延法,即水平浸渍和100r/m的转速,生长于（111）钇镓石榴石单晶基片上。生长应用......
综合考虑高速光电探测器的频率特性和响应度性能，优化设计了GaInAs/InP PIN光电二极管的结构参数，解决了长波长高速光电探测器制作的......
手性分子的对映体分离在医药、农业、生物和化学工程等许多重要的领域,是人类生存和发展的一个重要应用[1]。由于通过液相外延(LPE......
