【摘 要】
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研究了在4H－SiC p型外延层上用N离子注入制备n型层的方法及其特性，注入层的浓度分布用蒙特卡罗分析软件TRIM进行了模拟。为了测试注入层的特性，制备了横向肖特基二极管和TLM（tran
【基金项目】
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国防预研基金资助项目 (项目号 :8.1.7.3 )~~
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研究了在4H－SiC p型外延层上用N离子注入制备n型层的方法及其特性，注入层的浓度分布用蒙特卡罗分析软件TRIM进行了模拟。为了测试注入层的特性，制备了横向肖特基二极管和TLM（transfet length method）结构。测得的N激活浓度为3.0×10^16cm^-3，计算出激活率为0.02。注入层方块电阻为30kΩ／□，电阻率为0.72Ω·cm，并计算出电子迁移率为300cm^2/(V·s）。
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