金属-半导体接触相关论文
过渡金属硫化物（TMDC）以其优异的性能和二维层状结构得到了广泛的关注。其超薄,没有悬挂键和可调带隙等不寻常的特性,使其在电子科学......
为同时，压电的展览和半导体性质例如 wurtzite ZnO，轧了的材料和客栈，以及压电的费用在金属半导体接触或半导体连接由外部地应用的紧......
二硫化钼(MoS2)作为一种代表性的半导体二维原子晶体材料,具有优异的物理及电学特性,这使其在光电器件尤其是逻辑器件的应用中具有......
随着互补型金属-氧化物-半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS)器件特征尺寸沿着摩尔定律按比例缩小,传统的硅基......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应.模拟的内容包括具有不同的势垒高度的金属-半导体接触在正向和反向偏置下的工......
运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应。模拟的内容包括具有不同的势垒高度的金属－半导体接触在正向和反向偏置下的工......
讨论了半导体pn结内建电场和接触电势的形成与可测性,回答了在半导体物理学pn结内容教学中学生经常会提出的一个似是而非的问题.从......
研究了金属In与掺不同NB浓度的SrTiO3（Nb-STO）衬底之间构成的金属半导体结（金-半结）。测量了不同温度下的I-V曲线。在掺杂浓度为0.05wt......
为降低金属或金属硅化物源漏与沟道的肖特基势垒高度以改善肖特基势垒源漏场效应晶体管(SBSD-MOSFET)的开关电流比(Ion/Ioff),采用......
Cd1-xZnxTe（CZT）晶体具有优异的光电性能，是迄今制造室温X射线及γ射线探测器最为理想的半导体材料。尽管对CZT的研究由来已久，但在CZT......
氧化锌(ZnO)是一种纤锌矿结构的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体材料,具有优良的物理和化学性质,其室温禁带宽度为3.37eV。ZnO目前广泛应用于......
为了改善传统的双台面工艺受光刻设备和工艺精度限制这一缺陷，引入了掩埋金属自对准工艺．新工艺使SiGeHBT的制作不受最小光刻条宽的......
如何测量、计算得到精确接触电阻值已凸显重要。介绍了多种测量计算金属-半导体欧姆接触电阻率的模型和方法,如矩形传输线模型、圆......
最近新合成出来的二维平面材料C2N由于拥有合适的光学带隙（1.96e V）和较高的载流子迁移率,可应用于电子和光电子设备中。目前已成功......
ZnO作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37eV,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电......
