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罗门哈斯公司电子材料公司继与IBM公司签署协议共同开发为32纳米以下制程的注入提供支持的电路图案成形（patterning）材料和工艺后，近日又宣布与IBM签署了另一项联合开发协定。此项合作将专注于开发用于32纳米和22纳米技术节点的铜线和低绝缘（LOW—K）介质集成的CMPI艺技术。
罗门哈斯电子材料宣布与IBM合作
【摘 要】
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罗门哈斯公司电子材料公司继与IBM公司签署协议共同开发为32纳米以下制程的注入提供支持的电路图案成形（patterning）材料和工艺后，近日又宣布与IBM签署了另一项联合开发协定。此
【出 处】
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中国电子商情：基础电子
【发表日期】
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2008年4期
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