离子束溅射Si薄膜的低温晶化生长

来源 :材料导报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liuhui098

【摘要】

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采用离子束溅射技术,在低生长束流（4～10 mA）范围内,对低温（25～300 ℃）Si薄膜的晶化进行了研究.由Raman和XRD表征分析得出：在300℃采用6mA的生长束流,可在硅衬底上得到结晶性和完整性

【作者】

：

宋超杨瑞东冯林永杨宇

【机构】

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云南大学材料科学与工程系

【出处】

：

材料导报

【发表日期】

：

2007年8期

【关键词】

：

SI薄膜离子束溅射束流低温 silicon film ion beam sputtering ion beam current low temper

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采用离子束溅射技术,在低生长束流（4～10 mA）范围内,对低温（25～300 ℃）Si薄膜的晶化进行了研究.由Raman和XRD表征分析得出：在300℃采用6mA的生长束流,可在硅衬底上得到结晶性和完整性较好的Si外延薄膜;25℃时,在硅衬底上得到Si薄膜的多晶结构,实现了Si薄膜的低温晶化生长.

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