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低束流下离子束溅射沉积Si薄膜的Raman光谱研究
低束流下离子束溅射沉积Si薄膜的Raman光谱研究
来源 :2006年全国功能材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liuliea
【摘 要】
:
在温度为400℃下,采用离子束溅射技术在Si(100)衬底上沉积Si薄膜.利用Raman光谱对不同束流下生长的Si薄膜进行分析.结果表明:随着生长束流的减小,Si薄膜由非晶向多晶转变;在
【作 者】
:
宋超
杨瑞东
俞帆
杨宇
【机 构】
:
云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091
【出 处】
:
2006年全国功能材料学术年会
【发表日期】
:
2006年期
【关键词】
:
低束流
离子束溅射沉积
外延薄膜
离子束溅射技术
多晶转变
温度
晶向
结晶
光谱
衬底
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在温度为400℃下,采用离子束溅射技术在Si(100)衬底上沉积Si薄膜.利用Raman光谱对不同束流下生长的Si薄膜进行分析.结果表明:随着生长束流的减小,Si薄膜由非晶向多晶转变;在束流为6mA时,得到了结晶较好的Si外延薄膜。
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