为了寻求一条非晶硅晶化的有效途径，本文试图探索一种全新的非晶硅晶化方法-Ge诱导非晶硅晶化法。 　　本文首先用离子束溅射制备了一系列非晶硅薄膜，并对其进行退火研究，我们发现，生长态非晶硅薄膜当衬底温度为室温时，所制备的非晶硅薄膜结晶质量最好，高温退火后所有样品均为多晶结构，对应的晶粒度为2.1nm左右，薄膜结晶质量得到改善。第二步，采用离子束溅射制备Si/Ge多层膜，通过X射线小角衍射计算其周期厚度及各子层的厚度，用Raman光谱对Si/Ge多层膜的微观结构及Si子层的结构进行表征。结果表明，所制备的Si/Ge多层膜中，当Ge子层的厚度为6.2nm时，Si子层的结晶质量较好，表明适量的Ge含量有诱导Si结晶的作用。在本文的最后我们用磁控溅射制备了两组样品，其中一组是在Si衬底上直接生长硅，另一组先在Si衬底上生长一层Ge再生长Si，分析表明掺入Ge的一组样品在衬底温度为800℃时非晶硅薄膜已经大部分晶化，其晶粒平均粒度为69.1nm。而前一组样品在衬底温度为800℃时平均晶粒度为3.0nm，对此可说明Ge的引入有诱导Si晶化的作用。