以氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料是第三代半导体材料,其具有禁带宽度大、热导率高、介电常数低、电子漂移速度快等优点。利用氮化镓材料制作的辐射探测器相应的具有体积小、耐辐照性能强、响应速度快等优点,可以用来替换现有大型强子对撞机中的顶点探测器及径迹探测器。对于氮化镓辐射探测器的研究主要包括物理过程研究和制作工艺研究,其中物理过程主要研究氮化镓晶体对于射线束的能量沉积特性,能量沉积特性是影响探测器探测效率的重要特性之一,它受探测器的探测机理、材料性质、入射射线种类、射线能量等多方面因素的影响。制作工艺研究主要是对探测器电极制作工艺、封装工艺等方面的改进,其中电极镀制是电流型氮化镓探测器研制的重点和难点,只有良好的欧姆接触才能使探测器具有优良而且稳定的性能。本文对于射线束的能量沉积通过基于蒙特卡罗方法的模拟计算,研究氮化镓探测器相关物理性能,分别讨论在前端和后端加聚四氟乙烯材料的氮化镓辐射探测器对于不同入射γ射线的能量沉积情况,在相同能量的射线照射下探测器不同位置处的能量沉积情况。对于探测器制作工艺方面本文主要研究氮化镓表面欧姆接触电极镀制理论,对所制作的探测器样品物理性能进行实验测试并对欧姆接触电极镀制效果进行评价,得到探测器样品在不同偏压下的灵敏度以及电荷收集效率。本论文研究结果为氮化镓辐射探测器的探测性能研究奠定了基础。