【摘 要】
：
据《Semicon.NEWs》1989年第8期报道,日本三菱电机株式会社光微波器件研究所现已研制成在12GHz下噪声系数为1.58dB,增益29dB的世界最高性能的低噪声MMIC放大器.该放大器采用
论文部分内容阅读
据《Semicon.NEWs》1989年第8期报道,日本三菱电机株式会社光微波器件研究所现已研制成在12GHz下噪声系数为1.58dB,增益29dB的世界最高性能的低噪声MMIC放大器.该放大器采用具有均匀性、重复性好的自对准多层金属栅结构超低噪声GaAs FET工艺,并使噪声和阻抗的匹配电路开始单片化.与以前采用凹槽型的GaAs FET放大器相比,性
According to “Semicon.NEWs” 1989, No. 8 reported that Japan’s Mitsubishi Electric Institute of Light Microwave Devices has developed at 12GHz under the noise figure of 1.58dB, gain 29dB of the world’s highest performance low noise MMIC amplifier. The amplifier Using a self-aligned multi-layer metal gate structure ultra-low-noise GaAs FET with uniformity and repeatability, and making the matching circuit of noise and impedance begin to be monolithic.Compared with the previous GaAs FET amplifier with groove type, Sex
其他文献
有许多学生在学习物理、解决物理问题时只注重如何套用公式以及数学演算,缺少运用准确的图形来构建物理模型、分析物理情景的意识,或者不会画图来分析,或者不知道从哪开始画
采用不同尺寸的聚四氟乙烯(PTFE)微管为内外管、玻璃毛细管(glass capillary)或聚丙烯(PP)中空纤维为内管管头设计制作了一种共轴微通道反应器(N-CAMFR).以聚乳酸(PLA)/二氯
在高中物理教学中,教师应对学困生真诚以待,因材施教,激发学困生的学习兴趣,让学困生发挥学习的主体作用,积极采取种种措施,促进学困生物理成绩的稳步提高。
In high school
小勒（le）鲁瓦走进厨房，妈妈正在里面忙着做晚饭。他的生日快要到了。他想，这是他把自己想要的东西告诉妈妈的最佳时机。
东芝美国电子元件公司制造的 TLYA 190P 琥珀色 LED,采用 InGaAIP 技术,在4°观看角范围发光强度达到6000 mcd,透镜直径10 mm,峰值波长590 nm。基片上方的反射器用以防止光
通过化学共沉淀法原位合成了新型可见光活性的In_2O_3-CaIn_2O_4复合光催化剂。采用X射线衍射、扫描电子显微镜、电子能谱及紫外-可见漫反射光谱(diffuse reflectance spectr
自对准工艺可以降低GaAs FET的源漏电阻,提高跨导和截止频率.难熔金属硅化物WSi_x可用于自对准工艺.为得到较好的与GaAs接触的肖特基势垒特性和高温稳定性,本文较详细地实验
2008年5月12日14点28分。一场突如其来的8级特大地震,让所有人都猝不及防。从那一时刻开始,汶川地震灾区的受灾情况。群众的生命安危,与13亿同胞的心,紧紧的相连。温家宝总理
本文报道了用低能大面积电子束处理注砷硅片的实验结果。由四探针和背散射、沟道效应测量结果表明,用本方法退火的样品具有电激活率高和砷原子再分布小的优点。
This paper