Si/SiO_2界面态研究中辅以脉冲和恒定红外光照的脉冲Q(V)法

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本文提出了一种新的Si/siO_2界面态研究方法——辅以脉冲和/或恒定红外光照的脉冲Q(V)法.该方法的主要特点是:测量精度高,能自动补偿样品漏电,对长寿命或低温下的样品也能保证可靠的载流子平衡.提出了适用于热平衡及光热平衡样品的理论模型及相应的数据处理方法,从而保证了使用一个N或P型样品测出几乎全禁带区间内较为可靠的界面态分布. In this paper, a new Si / SiO 2 interface state research method is proposed-pulsed Q (V) method supplemented by pulsed and / or constant infra-red illumination.The main features of this method are: high measurement accuracy, automatic compensation for sample leakage, For long-life or low-temperature samples can also ensure reliable carrier balance. Proposed for the heat balance and photothermal equilibrium sample theoretical model and the corresponding data processing methods, thus ensuring the use of a N or P-type samples measured almost All-band range more reliable interface state distribution.
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