【摘 要】
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本文介绍了一种彩双层多晶哇工艺的高性能64K位5伏MOS动态RAM。典型存取时间100ns，工作功耗小于120mW。采用等平面-II的制作工艺，改革电路设
This paper presents a high-perf
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本文介绍了一种彩双层多晶哇工艺的高性能64K位5伏MOS动态RAM。典型存取时间100ns，工作功耗小于120mW。采用等平面-II的制作工艺，改革电路设
This paper presents a high-performance 64K bit 5-volt MOS dynamic RAM with a color bilayer polycrystalline wow process. Typical access time 100ns, working power consumption is less than 120mW. Equal plane-II production process, the reform of circuit design
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