研究简报和技术交流

来源 :电子管技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:davidrandy
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
FU-66 F/Z阳极结构的设计 FU~66 F/Z是大功率金属陶瓷发射四极管。F型是强制风冷阳极结构,Z型是蒸发冷却阳极结构,额定板耗12千瓦,极限工作频率为220兆赫。主要用于电视、广播、通讯等方面。本管设计时,除了保证外形能与同类管型互换外,要求板耗比12千瓦额定值大,做到一管多用,简化产品系列。例如风冷管能取代4 CX 15000(板耗为15千瓦),蒸发冷却管能取代FU-60 Z(板耗为8—9千瓦)。 FU-66 F / Z Anode Structure Design FU ~ 66 F / Z is a high power cermet emitter. F-type is forced air-cooled anode structure, Z-type is an evaporative cooling anode structure, nominal board consumption of 12 kW, the ultimate operating frequency of 220 MHz. Mainly used in television, radio, communications and so on. The design of this pipe, in addition to guarantee the appearance of the same type of pipe interchangeability, board requirements than 12 kW rating, so that a multi-purpose, to simplify the product line. For example, the air-cooled tube can replace the 4 CX 15000 (plate consumption is 15 kW), evaporative cooling tube can replace FU-60 Z (plate consumption of 8-9 kW).
其他文献
北京大学西门纪业于1957年首先提出了电磁复合聚焦阴极透镜的象差理论(见物理学报13,4,1957,339)。1964年苏联学者对此理论提出了不同意见(见Pa-9,5,1964,844)。本文对电磁
显示板电极板的加工过程如下: 基板的加工: 玻璃基板常选用两种不同的尺寸,较大的一块作前面板,装配时放在下面。所使用的材料应选取不平度为40~50微英寸/英寸的浮化法生产的
▲《Review of Scientific instruments》1981年第10期报导:英国帝国学院黑体实验室研制成功一种由钯—银氧铯层组成的具有低表面电阻率的半透明光电阴极,在近红外响应区的
在这次上海国际电影节期间,我们有幸专访了位新加坡导演,和他们分享创作心得,了解新加坡电影正在发生什么样的故事。 During this Shanghai International Film Festival, w
著名作家韓少功曾对某大学的文学专业的部分研究生就其读书情况做过简单调查,1/4的学生举手表示读过3本以上的法国文学,1/5读过《红楼梦》,一半人看过《红楼梦》电视剧。  “这是一群文学研究生,将要成为硕士或博士的。他们很诚实,也毫不缺乏聪明。我相信未举手者已做过上百道关于《红楼梦》或法国文学的试题,并且一路斩获高分——否则他们就不可能坐在这里。”韩少功百思不得其解的问题是,究竟是什么剥夺了他们的阅
促进经济又好又快发展的关键在于加快转变经济发展方式。转变经济发展方式,关系发展理念的转变、发展道路的选择、发展模式的创新,实质上是解决如何发展得更好的问题。为此,
对中学物理竞赛试题中涉及的包络线问题,给出应用初等数学和高等数学的两种解法,并用计算机软件几何画板对包络线进行模拟. To solve the problem of envelope involved in
2017年5月21日,由北京师范大学中国基础教育质量监测协同创新中心、全国学校体育联盟(教学改革)主办的第十二届全国学校体育联盟(教学改革)“一校一品”民族体育“全员运动会”在北京第二外国语学院附属中学瑞祥民族校区举行。教育部民族教育司副司长郭岩,国家体育总局中国体育报业总社副社长王平,全国学校体育联盟(教学改革)主席、原北京师范大学体育与运动学院院长毛振明,国家民委文宣司体卫处调研员孟拥军、北京
从2011年开始,国家“十二五”规划将全面实施。今年10月中旬,党的十七届五中全会审议通过了《中共中央关于制定国民经济和社会发展第十二个五年规划的建议》(以下简称《建议
半导体IC生产迅速发展的重要原因在于大容量RAM已经能够大量地用在从大型计算机到游戏机等各种数字装置中。其中以体积小、价格便宜、已走向技术革新尖端行列的动态RAM数量