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期刊论文
ULSI低介电常数材料制备中的CVD技术
ULSI低介电常数材料制备中的CVD技术
来源 :微细加工技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hdjc1314
【摘 要】
:
综述了制备ULSI低介电常数材料的各种CVD技术。详细介绍PCVD技术淀积含氟氧化硅薄膜、含氟无定型碳膜与聚酰亚胺类薄膜的工艺,简要介绍了APCVD技术淀积聚对二甲苯类有机薄膜及
【作 者】
:
王鹏飞
丁士进
张卫
王季陶
李伟
【机 构】
:
复旦大学电子工程系,台湾集成电路公司
【出 处】
:
微细加工技术
【发表日期】
:
2001年1期
【关键词】
:
互连延迟
低介电常数材料
化学气相淀积
集成电路
ULSI
Interconnection delay
Low dielectric constant mate
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综述了制备ULSI低介电常数材料的各种CVD技术。详细介绍PCVD技术淀积含氟氧化硅薄膜、含氟无定型碳膜与聚酰亚胺类薄膜的工艺,简要介绍了APCVD技术淀积聚对二甲苯类有机薄膜及RTCVD技术淀积SiOF薄膜的工艺。
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